Zobrazeno 1 - 8
of 8
pro vyhledávání: '"Lendyashova, Vera"'
Autor:
Lendyashova, Vera V., Ilkiv, Igor V., Talalaev, Vadim G., Shugabaev, Talgat, Reznik, Rodion R., Cirlin, George E.
The influence of growth regimes of the silicon capping layer on the optical properties of heterostructures with submonolayer InAs quantum dots embedded in a silicon matrix has been studied. The photoluminescence signal at 1650 nm from submonolayer qu
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2411.09295
Autor:
Lendyashova, Vera, Ilkiv, Igor, Borodin, Bogdan, Kirilenko, Demid, Dragunova, Anna, Shugabaev, Talgat, Cirlin, George
This paper presents the experimental results on research of growth processes of GaAs layers on silicon substrates by molecular beam epitaxy. The formation of buffer Si layer in a single growth process has been found to significantly improve the cryst
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2401.17170
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Komarov, Sergey, Gridchin, Vladislav, Lendyashova, Vera, Kotlyar, Konstantin, Reznik, Rodion, Dvoretckaia, Liliia, Dragunova, Anna, Makhov, Ivan, Nadtochiy, Alexey, Kryzhanovskaya, Natalia, Cirlin, George, Zhukov, Alexey
In this work, the photoluminescence of single InGaN NWs with a core-shell structure is investigated along their entire length at RT and 77 K. Multicolor emission, covering the spectral range from 380 to 650 nm, was obtained and described in details.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::eac5727ff9dc34323148a49caeb6d833
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Lendyashova, Vera, Ilkiv, Igor, Borodin, Bogdan, Ubyivovk, Evgeny, Reznik, Rodion, Talalaev, Vadim, Cirlin, George
The fabrication of composite material with embedded III-V quantum dots is of great interest due to promising silicon-based light emitting devices. In this work, the growth of self-assembled InAs quantum dots on Si substrates as well as subsequent cap
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::56251cb17dac1793132d66f125550fe8
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.