Výsledky vyhledávání - "Lenahan, P. M."

Report

Spin-Dependent Capture Mechanism for Magnetic Field Effects on Interface Recombination Current in Semiconductor Devices

Autor: Harmon, Nicholas J., Ashton, James P., Lenahan, Patrick M., Flatté, Michael E.

Electrically detected magnetic resonance (EDMR) and near-zero field magnetoresistance (NZFMR) are techniques that probe defect states at dielectric interfaces critical for metal-oxide-semiconductor (MOS) electronic devices such as the Si/SiO$_2$ MOS

Externí odkaz: http://arxiv.org/abs/2312.14933

Zobrazit plný text záznamu

Report

Near-Zero-Field Spin-Dependent Recombination Current and Electrically Detected Magnetic Resonance from the Si/SiO$_2$ interface

Autor: Harmon, Nicholas J., Ashton, James P., Lenahan, Patrick M., Flatté, Michael E.

Dielectric interfaces critical for metal-oxide-semiconductor (MOS) electronic devices, such as the Si/SiO$_2$ MOS field effect transistor (MOSFET), possess trap states that can be visualized with electrically-detected spin resonance techniques, howev

Externí odkaz: http://arxiv.org/abs/2008.08121

Zobrazit plný text záznamu

Report

Extraction of Isotropic Electron-Nuclear Hyperfine Coupling Constants of Paramagnetic Point Defects from Near-Zero Field Magnetoresistance Spectra via Least Squares Fitting to Models Developed from the Stochastic Quantum Liouville Equation

Autor: Frantz, Elias B., McMillan, Nicholas J. Harmon Stephen R., Moxim, Stephen J., Flatte, Michael E., Lenahan, Patrick M.

Publikováno v: J. Appl. Phys. 128, 124504 (2020)

We report on a method by which we can systematically extract spectroscopic information such as isotropic electron-nuclear hyperfine coupling constants from near-zero field magnetoresistance spectra. The method utilizes a least squares fitting of mode

Externí odkaz: http://arxiv.org/abs/2006.15064

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Report

Nature of traps responsible for failure of MOS devices

Autor: Gritsenko, V. A., Lenahan, P. M., Morokov, Yu. N., Novikov, Yu. N.

A failure of chips in a huge amount of modern electronic devices is connected as a rule with the undesirable capturing of charge (electrons and holes) by traps in a thin insulating film of silicon oxide in transistors. It leads to a breakdown of tran

Externí odkaz: http://arxiv.org/abs/cond-mat/0011241

Zobrazit plný text záznamu