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pro vyhledávání: '"Leistungshalbleiter"'
Autor:
Hentschel, R., Wachowiak, A., Großer, A., Kotzea, S., Debald, A., Kalisch, H., Vescan, A., Jahn, A., Schmult, S., Mikolajick, T.
We report and discuss the performance of an enhancement mode n-channel pseudo-vertical GaN metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET). The trench gate structure of the MOSFET is uniformly covered with an Al₂O₃ dielectric and TiN e
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https://tud.qucosa.de/id/qucosa%3A81245
https://tud.qucosa.de/api/qucosa%3A81245/attachment/ATT-0/
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Autor:
Hoffmann, Paul
Leistungshalbleiter sind integrale Bestandteile in einer Vielzahl von Geräten und Bauteilen. Da die Anforderungen an die Zuverlässigkeit von Leistungshalbleitern aufgrund sinkender Bauteilgrößen und neuer Anwendungsbereiche, z. B. in der erneuerb
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::23cdb3dc887d0700f76560a1b60becbe
Autor:
Pappis, Douglas
Zugleich: Universität Kassel, Dissertation, 2020
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::af0abce6a92537f7c6d6d3830dfe2c1b
Autor:
Beier-Möbius, Menia
Die vorliegende Arbeit beschäftigt sich mit dem Aufbau und der Durchführung eines Teststand für Gateoxidstresstests mit einer gestuften Anhebung der Spannung und einer anschließenden Datenauswertung, um den Anwendern eine Möglichkeit zur Ermittl
Autor:
Seidel, Peter
This paper deals with a method to additionally heat with switching losses in a classical power cycling test, as it is often used for power semiconductors.The fundamentals of testing, switching behavior, thermal and electrical characteristics of semic
Autor:
Eichinger, Barbara
Während Marktkräfte die Entwicklung von Leistungshalbleitern mit hoher Leistungsdichte, reduzierten Verlusten und erhöhter Effizienz vorantreiben, gehen neue Technologiegenerationen in Richtung ultradünner Chips und reduzierter Gehäusedimensione
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3007::445516bf8838586875178e3124c2a744
Autor:
Otto, Alexander
Lastwechseltests stellen eine standardisierte und etablierte Methode zur Zuverlässigkeitsbewertung und Produktqualifizierung in der Leistungselektronik dar. Sie basieren auf der Applikation von wiederkehrenden Laststromimpulsen, welche im Leistungsb
Autor:
A. Jahn, Holger Kalisch, Andreas Großer, Thomas Mikolajick, Simon Kotzea, Andre Wachowiak, Raoul Hentschel, Andrei Vescan, Arne Debald, S. Schmult
We report and discuss the performance of an enhancement mode n-channel pseudo-vertical GaN metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET). The trench gate structure of the MOSFET is uniformly covered with an Al2O3 dielectric and TiN elect
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::1b071ebaea75b2c9482801663b561ec7
https://tud.qucosa.de/id/qucosa:81245
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