Zobrazeno 1 - 10
of 10
pro vyhledávání: '"Lee, Yung‐Sheng"'
Autor:
Lee, Yung-Sheng, 李永昇
97
In this study, FeSi nanowires were fabricated by chemical vapor deposition method. Beta-FeSi2 nanowires were deposited on Si substrate by applying FeCl3 as precursor at temperature ranged from 700 to 900 ℃. The structure of beta-FeSi2 nanow
In this study, FeSi nanowires were fabricated by chemical vapor deposition method. Beta-FeSi2 nanowires were deposited on Si substrate by applying FeCl3 as precursor at temperature ranged from 700 to 900 ℃. The structure of beta-FeSi2 nanow
Externí odkaz:
http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/79955564163889997897
Autor:
Frank, Deborah J., Martin, Stephen R., Gruender, Bridget N.T., Lee, Yung-Sheng R., Simonette, Rebecca A., Bayley, Peter M., Miller, Kathryn G., Beckingham, Kathleen M.
Publikováno v:
In Journal of Biological Chemistry 25 August 2006 281(34):24728-24736
Publikováno v:
In International Review of Economics and Finance 1999 8(4):421-431
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
2016 18th International Conference on Advanced Communication Technology (ICACT); 2016, p394-400, 7p
Publikováno v:
2015 17th International Conference on Advanced Communication Technology (ICACT); 2015, p329-335, 7p