Výsledky vyhledávání

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Gamma-Irradiation-Induced Electrical Characteristic Variations in MoS 2 Field-Effect Transistors with Buried Local Back-Gate Structure.

Autor: Kim, Su Jin, Hwang, Seungkwon, Kwon, Jung-Dae, Yoon, Jongwon, Park, Jeong Min, Lee, Yongsu, Kim, Yonghun, Kang, Chang Goo

Publikováno v: Nanomaterials (2079-4991); Aug2024, Vol. 14 Issue 16, p1324, 10p

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Area and Device Count Efficient Binary Logic Circuits using Anti‐Ambipolar Switch Devices.

Autor: Jun, Jae Hyeon, Lee, Yongsu, Lee, Hae‐Won, Kim, Minjae, Hwang, Hyeon Jun, Lee, Byoung Hun

Publikováno v: Advanced Electronic Materials; Aug2024, Vol. 10 Issue 8, p1-8, 8p

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Dual-channel P-type ternary DNTT–graphene barristor.

Autor: Lee, Yongsu¹ (AUTHOR), Kim, Seung-Mo¹ (AUTHOR), Kim, Kiyung¹ (AUTHOR), Kim, So-Young¹ (AUTHOR), Lee, Ho-In¹ (AUTHOR), Kwon, Heejin¹ (AUTHOR), Lee, Hae-Won¹ (AUTHOR), Kim, Chaeeun² (AUTHOR), Some, Surajit^1,3 (AUTHOR), Hwang, Hyeon Jun¹ (AUTHOR) hhjune@postech.ac.kr, Lee, Byoung Hun¹ (AUTHOR) bhlee1@postech.ac.kr

Publikováno v: Scientific Reports. 4/19/2022, Vol. 12 Issue 1, p1-12. 12p.

Zobrazit plný text záznamu

Plný text ve formátu HTML

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Additional file 1 of Demonstration of p-type stack-channel ternary logic device using scalable DNTT patterning process

Autor: Lee, Yongsu, Kwon, Heejin, Kim, Seung-Mo, Lee, Ho-In, Kim, Kiyung, Lee, Hae-Won, Kim, So-Young, Hwang, Hyeon Jun, Lee, Byoung Hun

Additional file 1: Fig. S1. Photographs of the 20 nm PMMA layer on 2 cm × 2 cm Si/SiO2 wafers following half dipping in DMSO at different PMMA baking temperatures of (a) 70 ℃ and (b) 130 ℃. Scale bar = 100 nm. Fig. S2. Photographs of the fabrica

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::c7fb1e1d2886aea59925a5512d9e07dd

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání