Zobrazeno 1 - 10
of 14
pro vyhledávání: '"Lee, Mankoo"'
Autor:
Lee, Mankoo
A complete Gallium Arsenide Metal Semiconconductor Field Effect Transistor (GaAs MESFET) model including deep-level trap effects has been developed, which is far more accurate than previous equivalent circuit models, for high-speed applications in li
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/1957/37482
Publikováno v:
MRS Online Proceedings Library; 2013, Vol. 1559 Issue 1, p1-6, 6p
Publikováno v:
MRS Online Proceedings Library; 2012, Vol. 1447 Issue 1, p65-70, 6p
Autor:
Lee, Mankoo, Pramanik, Dipankar, Oh, Yong-Seog, Qin, Zudian, Avci, Ibrahim, Simeonov, Simeon, El Sayed, Karim, Balasingam, Pratheep
Publikováno v:
2013 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS); 2013, pEM.4-EM.4-EM.4.7, 0p
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.