Zobrazeno 1 - 10
of 43
pro vyhledávání: '"Lee, Lurng Shehng"'
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 2008 85(1):45-48
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Lin Cha-Hsin, Lee Lurng-Shehng, Wang Ching-Chiun, Tzeng Pei-Jer, Tsai Ming-Jinn, Chen Pang-Shiu, Siddheswar Maikap, Lee Heng-Yuan
Publikováno v:
Extended Abstracts of the 2006 International Conference on Solid State Devices and Materials.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d31dac9205fa1d81c07a4131abca3bb8
https://doi.org/10.7567/ssdm.2006.c-5-2
https://doi.org/10.7567/ssdm.2006.c-5-2
Autor:
Yen, Cheng-Tyng, Hung, Chien-Chung, Hung, Hsiang-Ting, Lee, Lurng-Shehng, Lee, Chwan-Ying, Yang, Tzu-Ming, Huang, Yao-Feng, Cheng, Chi-Yin, Chuang, Pei-Ju
Publikováno v:
2015 IEEE 27th International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's (ISPSD); 2015, p265-268, 4p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Hung, Chien-Chung, Yen, Cheng-Tyng, Lee, Lurng-Shehng, Lee, Chwan-Ying, Chen, Young-Shying, Chiu, Ting-Yu, Wei, Jeng-Hua
Publikováno v:
2014 IEEE 26th International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's (ISPSD); 2014, p217-220, 4p
Autor:
Yen, Cheng Tyng, Hung, Hsiang Ting, Hung, Chien Chung, Lee, Lurng Shehng, Lee, Chwan Ying, Huang, Yao Feng, Hsu, Fu Jen, Chen, Tzong Liang
Publikováno v:
Materials Science Forum; May 2017, Vol. 897 Issue: 1 p533-536, 4p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Lee, Chwan-Ying, Yen, Cheng-Tyng, Chu, Kuan-Wei, Chen, Young-Shying, Hung, Chien-Chung, Lee, Lurng-Shehng, Yang, Tzu-Ming, Chuang, Chiao-Shun, Huang, Cheng-Chin, Tsai, Ming-Jinn
Publikováno v:
2013 25th International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's (ISPSD); 2013, p171-174, 4p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.