Zobrazeno 1 - 10
of 74
pro vyhledávání: '"Lee, Jaeseob"'
Autor:
Lee, Jaeseob
The direct bonding method is applied to the GaN/SiC system, and the processing conditions for successful direct bonding are clarified. Direct bonding of GaN/SiC is achieved at 900¡ÆC. The direct bonding of GaN to Si-face SiC is very dependent on th
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Lee Jaeseob
Publikováno v:
The Sociolinguistic Journal of Korea. 28:169-200
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Lee, Suhui, Cho, Young Joo, Han, Byungju, Lee, Jaeseob, Choi, Sanggun, Kang, Taewook, Chu, Hye Yong, Kwag, Jinoh, Kim, Sung Chul, Jang, Jin
Publikováno v:
Advanced Engineering Materials; Mar2022, Vol. 24 Issue 3, p1-8, 8p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.