Zobrazeno 1 - 10 of 26 pro vyhledávání: '"Lee, J. T. C."'
1
Akademický článek
Cl[sub 2] plasma etching of Si(100): Nature of the chlorinated surface layer studied by angle-resolved x-ray photoelectron spectroscopy.
Autor: Layadi, N., Donnelly, V. M., Lee, J. T. C.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 5/15/1997, Vol. 81 Issue 10, p6738, 11p
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
The role of feedgas chemistry, mask material, and processing parameters in profile evolution during plasma etching of Si(100).
Autor: Lane, J. M., Bogart, K. H. A., Klemens, F. P., Lee, J. T. C.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films; 2000, Vol. 18 Issue 5, p2067-2079, 13p
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Role of sidewall scattering in feature profile evolution during Cl2 and HBr plasma etching of silicon.
Autor: Vyvoda, M. A., Li, M., Graves, D. B., Lee, H., Malyshev, M. V., Klemens, F. P., Lee, J. T. C., Donnelly, V. M.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 2000, Vol. 18 Issue 2, p820-833, 14p
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Mask charging and profile evolution during chlorine plasma etching of silicon.
Autor: Bogart, K. H. A., Klemens, F. P., Malyshev, M. V., Colonell, J. I., Donnelly, V. M., Lee, J. T. C., Lane, J. M.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films; 2000, Vol. 18 Issue 1, p197-206, 10p
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Feature evolution during plasma etching. II. Polycrystalline silicon etching.
Autor: Lane, J. M., Klemens, F. P., Bogart, K. H. A., Malyshev, M. V., Lee, J. T. C.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films; 2000, Vol. 18 Issue 1, p188-196, 9p
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
7
Akademický článek
Langmuir probe studies of a transformer-coupled plasma, aluminum etcher.
Autor: Malyshev, M. V., Donnelly, V. M., Kornblit, A., Ciampa, N. A., Colonell, J. I., Lee, J. T. C.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films; 1999, Vol. 17 Issue 2, p480-492, 13p
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Plasma etching process development using in situ optical emission and ellipsometry.
Autor: Lee, J. T. C., Blayo, N., Tepermeister, I., Klemens, F. P., Mansfield, W. M., Ibbotson, D. E.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 1996, Vol. 14 Issue 5, p3283-3290, 8p
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Metal stack etching using a helical resonator plasma.
Autor: Labelle, C. B., Maynard, H. L., Lee, J. T. C.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 1996, Vol. 14 Issue 4, p2574-2581, 8p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje