Zobrazeno 1 - 10
of 75
pro vyhledávání: '"Lederer, Dimitri"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Solid State Electronics September 2023 207
Autor:
Nyssens, Lucas, Rack, Martin, Schwan, Christoph, Zhao, Zhixing, Lehmann, Steffen, Hermann, Tom, Allibert, Frederic, Aulnette, Cécile, Lederer, Dimitri, Raskin, Jean-Pierre
Publikováno v:
In Solid State Electronics August 2022 194
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Halder, Arka, Nyssens, Lucas, Rack, Martin, Lederer, Dimitri, Raskin, Jean-Pierre, Kilchytska, Valeriya
Publikováno v:
In Solid State Electronics October 2021 184
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
2022 17th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC).
This paper presents a novel 28 GHz down- conversion mixer topology using the back-gate terminal in 22 nm FD-SOI as an RF excitation port for the 21 GHz local oscillator (LO) signal. A double balanced architecture with an active load and transimpedanc
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::2fb79384bfbcbb154a5379b42d377365
https://doi.org/10.23919/eumic54520.2022.9923503
https://doi.org/10.23919/eumic54520.2022.9923503
Autor:
Nyssens, Lucas, Rack, Martin, Wane, S., Schwan, C., Lehmann, S., Zhao, Z., Lucci, L., Lugo-Alvarez, J., Gaillard, F., Raskin, Jean-Pierre, Lederer, Dimitri
Publikováno v:
2022 17th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC).
This paper presents a 2-stage low-noise amplifier (LNA) designed in 22 nm fully-depleted silicon-on-insulator (FD- SOI) technology, covering the N259 and N260 millimeter-wave 5G bands. The prototype features 19.9 dB peak gain, 2.5-2.6 dB noise figure
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::03ead3f7d04a7068397060cb0a997eb0
https://doi.org/10.23919/eumic54520.2022.9923552
https://doi.org/10.23919/eumic54520.2022.9923552