Zobrazeno 1 - 10
of 4 299
pro vyhledávání: '"Lebedeva, N."'
Autor:
Nosova, A. A.1 (AUTHOR) nosova@igem.ru, Lebedeva, N. M.1 (AUTHOR), Vozniak, A. A.1 (AUTHOR), Sazonova, L. V.1,2 (AUTHOR), Larionova, Y. O.1 (AUTHOR), Kondrashov, I. A.1 (AUTHOR)
Publikováno v:
Doklady Earth Sciences. Mar2024, Vol. 515 Issue 1, p413-422. 10p.
Autor:
Lebedeva, N. D.1,2 (AUTHOR) lebed@pdmi.ras.ru, Petrunin, A. M.3 (AUTHOR)
Publikováno v:
Siberian Mathematical Journal. May2023, Vol. 64 Issue 3, p624-628. 5p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Korenev, V. L., Kalitukha, I. V., Akimov, I. A., Sapega, V. F., Zhukov, E. A., Kirstein, E., Ken, O. S., Kudlacik, D., Karczewski, G., Wiater, M., Wojtowicz, T., Ilyinskaya, N. D., Lebedeva, N. M., Komissarova, T. A., Kusrayev, Yu. G., Yakovlev, D. R., Bayer, M.
Voltage control of ferromagnetism on the nanometer scale is highly appealing for the development of novel electronic devices. Here a key challenge is to implement and combine low power consumption, high operation speed, reliable reversibility and com
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1812.09680
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Lebedeva, N. K.1 (AUTHOR) LebedevaNK@ipgg.sbras.ru
Publikováno v:
Stratigraphy & Geological Correlation. Jun2023, Vol. 31 Issue 3, p186-199. 14p.
Autor:
Novikov, S., Lebedeva, N., Hamalainen, J., Iisakka, I., Immonen, P., Manninen, A. J., Satrapinski, A.
Series connection of four quantum Hall effect (QHE) devices based on epitaxial graphene films was studied for realization of a quantum resistance standard with an up-scaled value. The tested devices showed quantum Hall plateaux RH,2 at filling factor
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1512.03163
Autor:
Vlach, Robert
Publikováno v:
Books Abroad, 1965 Oct 01. 39(4), 478-478.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/40120232