Selective epitaxial growth of Ge quantum dots on patterned SiO 2/Si(0 0 1) surfaces

Autor: Nguyen, Lam H., LeThanh, V., Débarre, D., Yam, V., Halbwax, M., El Kurdi, M., Bouchier, D., Rosner, P., Becker, M., Benamara, M., Strunk, H.P.

Publikováno v: In Applied Surface Science 2004 224(1):134-138

Thermal stability of epitaxial Mn5Ge3 and carbon-doped Mn5Ge3 films

Autor: Spiesser, A., Lethanh, V., Bertaina, S., Michez, L.A.

Publikováno v: Applied Physics Letters
Applied Physics Letters, 2011, 99, pp.121904
Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2011, 99, pp.121904

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::09cb3c4f4950ef944ce573e2d6f15ca5
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00697541

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.