Zobrazeno 1 - 10 of 31 pro vyhledávání: '"LeBoeuf, S. M."'
1
Akademický článek
Optimal composition of europium gallium oxide thin films for device applications.
Autor: Wellenius, P., Smith, E. R., LeBoeuf, S. M., Everitt, H. O., Muth, J. F.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Jun2010, Vol. 107 Issue 10, p103111-103116, 5p, 1 Diagram, 1 Chart, 2 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Enhanced photocatalytic activity of TiO2 nanostructures produced by anodic oxidation of pre-deformed Cp–Ti.
Autor: Altay, Mert, Baydoğan, Murat
Publikováno v: Transactions of the Institute of Metal Finishing; Mar2023, Vol. 101 Issue 2, p87-92, 6p
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Influence of surface coating on the upconversion emission properties of LaPO4:Yb/Tm core-shell nanorods.
Autor: Ghosh, Pushpal, de la Rosa, Elder, Oliva, Jorge, Solis, David, Kar, Arik, Patra, Amitava
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Jun2009, Vol. 105 Issue 11, p113532-113537, 5p, 1 Black and White Photograph, 6 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Effect of gallium nitride template layer strain on the growth of InxGa1-xN/GaN multiple quantum well light emitting diodes.
Autor: Johnson, M. C., Bourret-Courchesne, E. D., Wu, J., Liliental-Weber, Z., Zakharov, D. N., Jorgenson, R. J., Ng, T. B., McCready, D. E., Williams, J. R.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 8/1/2004, Vol. 96 Issue 3, p1381-1386, 6p, 2 Black and White Photographs, 1 Diagram, 1 Chart, 3 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Fabrication and determination of growth regimes of various Pd NPs based on the control of deposition amount and temperature on c-plane GaN.
Autor: Mao Sui, Kunwar, Sundar, Pandey, Puran, Quanzhen Zhang, Ming-Yu Li, Jihoon Lee
Publikováno v: Journal of Materials Research; 9/15/2017, Vol. 32 Issue 18, p3593-3604, 12p, 7 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Optimization of a Common Buffer Platform for Monolithic Integration of InGaN/GaN Light-Emitting Diodes and AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors.
Autor: Liu, Chao, Cai, Yuefei, Jiang, Huaxing, Lau, Kei
Publikováno v: Journal of Electronic Materials; Apr2016, Vol. 45 Issue 4, p2092-2101, 10p, 5 Diagrams, 1 Chart, 7 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Tuning the optical, electronic and luminescence properties of LaOCl:Eu3+via structural and lattice strain modulation.
Autor: Lv, Li, Wang, Ting, Li, Sipeng, Su, Yiguo, Wang, Xiaojing
Publikováno v: CrystEngComm; 2/14/2016, Vol. 18 Issue 6, p907-916, 10p
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
The effect of growth temperature on structural quality of AlInGaN/AlN/GaN heterostructures grown by MOCVD.
Autor: Loganathan, R., Balaji, M., Prabakaran, K., Ramesh, R., Jayasakthi, M., Arivazhagan, P., Singh, Shubra, Baskar, K.
Publikováno v: Journal of Materials Science: Materials in Electronics; Jul2015, Vol. 26 Issue 7, p5373-5380, 8p
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Lanthanide-Doped Nanocrystals: Strategies for Improving the Efficiency of Upconversion Emission and Their Physical Understanding.
Autor: Kar, Arik, Kundu, Simanta, Patra, Amitava
Publikováno v: ChemPhysChem; Feb2015, Vol. 16 Issue 3, p505-521, 17p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje