Zobrazeno 1 - 10
of 84
pro vyhledávání: '"Le Friec, Y"'
Autor:
Bourgine, Adrien, Grisolia, Jérémie, Vallet, Maxime, Benoit, Daniel, Le Friec, Y., Caubet-Hilloutou, V., Claverie, Alain
Publikováno v:
In Solid State Electronics October 2020 172
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Remondina, J, Portavoce, A, Bertoglio, M, Roland, G, Petroni, E, Benoit, D, Le Friec, Y, Lorut, F, Putero, M
Publikováno v:
Nanotechnology; 7/9/2023, Vol. 34 Issue 28, p1-8, 8p
Autor:
de Camaret, C., Bourgeois, G., Cueto, O., Meli, V., Martin, S., Despois, D., Beugin, V., Castellani, N., Cyrille, M.C., Andrieu, F., Arcamone, J., Le-Friec, Y., Navarro, Gabriele
Publikováno v:
ESSDERC 2022-IEEE 52nd European Solid-State Device Research Conference
ESSDERC 2022-IEEE 52nd European Solid-State Device Research Conference, Sep 2022, Milan, Italy. pp.233-236, ⟨10.1109/ESSDERC55479.2022.9947190⟩
ESSDERC 2022-IEEE 52nd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC)
ESSDERC 2022-IEEE 52nd European Solid-State Device Research Conference, Sep 2022, Milan, Italy. pp.233-236, ⟨10.1109/ESSDERC55479.2022.9947190⟩
ESSDERC 2022-IEEE 52nd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC)
International audience; In this work, we present the extensive electrical characterization of 4kb Phase-Change Memory (PCM) arrays based on "Wall" structure and Ge-rich GeSbTe (GST) material, integrating a SiC dielectric with low thermal conductivity
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::58674e111858b84341434cc99a94364f
https://cea.hal.science/cea-03927940/document
https://cea.hal.science/cea-03927940/document
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering July 2013 107:145-150
Autor:
Gras, R., Gosset, L.G., Petitprez, E., Girault, V., Hopstaken, M., Jullian, S., Imbert, G., Le Friec, Y., Bienacel, J., Guillan, J., Chevolleau, T., Sherman, S., Tabat, M., Hautala, J., Torres, J.
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 2007 84(11):2675-2680