Zobrazeno 1 - 10 of 36 pro vyhledávání: '"Lauer, R. B."'
1
Akademický článek
Electron effective mass and conduction-band effective density of states in Bi12SiO20.
Autor: Lauer, R. B.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Apr1974, Vol. 45 Issue 4, p1794-1797, 4p
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Transport processes of photoinduced carriers in Bi12SiO20.
Autor: Hou, S. L., Lauer, R. B., Aldrich, R. E.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Jun1973, Vol. 44 Issue 6, p2652-2658, 7p
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Properties of the Room-Temperature Electron Trap in Rutile.
Autor: Lauer, R. B., Addiss, R. R., Ghosh, Amal K.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Aug1971, Vol. 42 Issue 9, p3508-3512, 5p
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Photoelectronic Properties of Graded Composition Crystals of II-VI Semiconductors.
Autor: Lauer, R. B., Williams, Ferd
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Jun1971, Vol. 42 Issue 7, p2904-2910, 7p
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Response time of Ge-doped (Al,Ga)As-GaAs double-heterostructure LED's.
Autor: Zucker, J., Lauer, R. B., Schlafer, J.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; May1976, Vol. 47 Issue 5, p2082-2084, 3p
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Excitation mechanism of the Cr3+ luminescence center in SrTiO3.
Autor: Ghosh, Amal K., Addiss, R. R., Lauer, R. B.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Aug1973, Vol. 44 Issue 8, p3798-3800, 3p
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Thermally Stimulated Currents and Luminescence in Bi12SiO20 and Bi12GeO20.
Autor: Lauer, R. B.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Apr1971, Vol. 42 Issue 5, p2147-2149, 3p
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Narrow-bandwidth (Al,Ga)As : Si double-heterostructure LED's.
Autor: Lauer, R. B., Zucker, J.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Apr1975, Vol. 46 Issue 4, p1837-1838, 2p
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Frequency response of an InGaAsP vapor phase regrown buried heterostructure laser with 18 GHz bandwidth.
Autor: Olshansky, R., Lanzisera, V., Su, C. B., Powazinik, W., Lauer, R. B.
Publikováno v: Applied Physics Letters; 7/21/1986, Vol. 49 Issue 3, p128, 3p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje