Zobrazeno 1 - 10
of 425
pro vyhledávání: '"Laturia A"'
Autor:
Osanloo, Mehrdad Rostami, Saadat, Ali, Van de Put, Maarten L., Laturia, Akash, Vandenberghe, William G.
Using first-principles calculations, we investigate six transition-metal nitride halides (TMNHs): HfNBr, HfNCl, TiNBr, TiNCl, ZrNBr, and ZrNCl as potential van der Waals (vdW) dielectrics for transition metal dichalcogenide (TMD) channel transistors.
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2108.09347
Autor:
Abhishek, Guttu Sai, Ingole, Harshad, Laturia, Parth, Dorna, Vineeth, Maheshwari, Ayush, Iyer, Rishabh, Ramakrishnan, Ganesh
We present SPEAR, an open-source python library for data programming with semi supervision. The package implements several recent data programming approaches including facility to programmatically label and build training data. SPEAR facilitates weak
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2108.00373
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 7/21/2020, Vol. 128 Issue 3, p1-13, 13p, 4 Diagrams, 3 Charts, 13 Graphs
Autor:
Mehrdad Rostami Osanloo, Ali Saadat, Maarten L. Van de Put, Akash Laturia, William G. Vandenberghe
Publikováno v:
Nanoscale. 14:157-165
Using first-principles calculations, we investigate six transition-metal nitride halides (TMNHs): HfNBr, HfNCl, TiNBr, TiNCl, ZrNBr, and ZrNCl as potential van der Waals (vdW) dielectrics for transition metal dichalcogenide (TMD) channel transistors.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::f463f193c4c303f665b06d4899eff0af
https://doi.org/10.1039/d1nr05250k
https://doi.org/10.1039/d1nr05250k
Autor:
Prateksha Udhayanan, Suryateja Bv, Parth Laturia, Dev Chauhan, Darshan Khandelwal, Stefano Petrangeli, Balaji Vasan Srinivasan
Publikováno v:
2023 IEEE/CVF Winter Conference on Applications of Computer Vision (WACV).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0b185e223e75123052339628a2fcdf22
https://doi.org/10.1109/wacv56688.2023.00230
https://doi.org/10.1109/wacv56688.2023.00230
Publikováno v:
npj 2D Materials and Applications, Vol 4, Iss 1, Pp 1-4 (2020)
An amendment to this paper has been published and can be accessed via a link at the top of the paper.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::321052499f272cf4a10419ef3147e367
http://link.springer.com/article/10.1038/s41699-020-00163-3
http://link.springer.com/article/10.1038/s41699-020-00163-3
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
William G. Vandenberghe, Maarten L. Van de Put, Akash Laturia, Sabyasachi Tiwari, Aaron Kramer
Publikováno v:
ECS Meeting Abstracts. :2759-2759
Van der Waals materials have recently received great interest in the research community because of the ability to exfoliate and grow mono- or few-layer materials. Some important future possible applications are found in the field of nanoelectronics w
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f0fbf50b9effd473609fc0a1e8330205
https://doi.org/10.1149/ma2020-01502759mtgabs
https://doi.org/10.1149/ma2020-01502759mtgabs
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Rostami Osanloo, Mehrdad, Saadat, Ali, Van de Put, Maarten L., Laturia, Akash, Vandenberghe, William G.
Publikováno v:
Nanoscale; 1/7/2022, Vol. 14 Issue 1, p157-165, 9p