Zobrazeno 1 - 10
of 1 262
pro vyhledávání: '"Lateral overgrowth"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IUCrJ, Vol 8, Iss 3, Pp 462-467 (2021)
The compound α-Ga2O3 is an ultra-wide-bandgap semiconductor and possesses outstanding properties such as a high breakdown voltage and symmetry compared with other phases. It has been studied for applications in high-performance power devices. Howeve
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/44e5c897db9d43c1a684d115035f4a35
Autor:
Yingnan Huang, Jianxun Liu, Xiujian Sun, Xiaoning Zhan, Qian Sun, Hongwei Gao, Meixin Feng, Yu Zhou, Hui Yang
Publikováno v:
Crystals, Vol 13, Iss 3, p 454 (2023)
We report on the epitaxial lateral overgrowth (ELO) of high-quality AlN on stripe-patterned Si(111) substrates with various trench widths. By narrowing down the trench and ridge widths of patterned Si substrates, crack-free, 6-micrometer-thick, high-
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/f0013787306846708ec36750002899af
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Narihito Okada, Kazuyuki Tadatomo
Publikováno v:
Crystals, Vol 12, Iss 10, p 1373 (2022)
We report the growth and characterization of thick, completely relaxed {11-22}-oriented InGaN layers using epitaxial lateral overgrowth (ELO). Although it was difficult to grow ELO-InGaN layers on patterned GaN templates, we succeeded in growing ELO-
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/ec72675fe3bd41138d9dd572ce318464
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.