Zobrazeno 1 - 10
of 13 885
pro vyhledávání: '"Latch-up"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Ming-Dou Ker, Zi-Hong Jiang
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 11, Pp 141-152 (2023)
In CMOS chips, the wider layout rules were traditionally applied to overcome latch-up issues. However, the chip area with wider layout rules was often enlarged, and in turn the chip cost was also increased. To effectively improve latch-up immunity wi
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/35a58b0a15524d7ba1c46ddc5c8cd900
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Yuanzineng kexue jishu, Vol 56, Iss 4, Pp 758-766 (2022)
SRAM with high density CMOS technology is extremely sensitive to single event latch�up, so it is necessary to adopt corresponding protection strategies in space applications. For CTOS with reduced radiation resistance, circuit level protection beco
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/a0dcf618bbb74194a6231ed2fa9f7d84
Autor:
Zi-Hong Jiang, Ming-Dou Ker
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 10, Pp 516-524 (2022)
As the high-voltage (HV) and low-voltage (LV) circuits are integrated together in a common silicon substrate, the parasitic latch-up path between neighboring HV and LV circuits with limited spacing in layout would be triggered into latch-up state to
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/611b108235154981871b5f39b9f69913
Publikováno v:
In Solid State Electronics December 2022 198
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.