Zobrazeno 1 - 3
of 3
pro vyhledávání: '"Large signal capacitance"'
Publikováno v:
Advances in Radio Science 8 (2010)
In this work an analytical simulation model for MOS varactors, that can be used in a systematically VCO design flow, is presented. The simulation model is based on the EKV transistor model and includes only design and process parameters of the used C
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::1bbb34899a587336d9a6dc692f146ed4
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.