Zobrazeno 1 - 10
of 48
pro vyhledávání: '"Lanzerstorfer, S"'
Autor:
Nelhiebel, M., Illing, R., Detzel, Th., Wöhlert, S., Auer, B., Lanzerstorfer, S., Rogalli, M., Robl, W., Decker, S., Fugger, J., Ladurner, M.
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability September-November 2013 53(9-11):1745-1749
Autor:
Nelhiebel, M., Illing, R., Schreiber, C., Wöhlert, S., Lanzerstorfer, S., Ladurner, M., Kadow, C., Decker, S., Dibra, D., Unterwalcher, H., Rogalli, M., Robl, W., Herzig, T., Poschgan, M., Inselsbacher, M., Glavanovics, M., Fraissé, S.
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability September-November 2011 51(9-11):1927-1932
Publikováno v:
In Physica B: Physics of Condensed Matter 15 December 1999 273-274:330-333
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 1999 201:999-1004
Autor:
Andreev, B.A *, Andreev, A.Yu, Ellmer, H, Hutter, H, Krasil'nik, Z.F, Kuznetsov, V.P, Lanzerstorfer, S, Palmetshofer, L, Piplits, K, Rubtsova, R.A, Sokolov, N.S, Shmagin, V.B, Stepikhova, M.V, Uskova, E.A
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 1999 201:534-537
Publikováno v:
Semiconducting & Insulating Materials 1998 Proceedings of the 10th Conference on Semiconducting & Insulating Materials (SIMC-X) (Cat No98CH36159); 1999, p169-172, 4p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Kadow, C., Decker, S., Dibra, D., Krischke, N., Lanzerstorfer, S., Maier, H., Meyer, T., Vannucci, N., Zink, R.
Publikováno v:
2009 21st International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's; 2009, p224-226, 3p