Zobrazeno 1 - 10 of 37 pro vyhledávání: '"Langdo, T."'
2
Conference
Embedded package wafer bow elimination techniques.
Autor: Thompson, J., Tepolt, G., Mueller, L.R.A., Langdo, T., Gauthier, D., Smith, B.
Publikováno v: 2011 IEEE 61st Electronic Components & Technology Conference (ECTC); 2011, p55-58, 4p
Zobrazit plný text záznamu
3
Conference
Investigation of misfit dislocation leakage in supercritical strained silicon MOSFETs.
Autor: Fiorenza, J.G., Braithwaite, G., Leitz, C., Currie, M.T., Cheng, Z.Y., Yang, V.K., Langdo, T., Carlin, J., Somerville, M., Lochtefeld, A., Badawi, H., Bulsara, M.T.
Publikováno v: Proceedings of the 2004 IEEE International Reliability Physics Symposium; 2004, p493-497, 5p
Zobrazit plný text záznamu
4
Conference
High efficiency GaAs-on-Si solar cells with high Voc using graded GeSi buffers.
Autor: Carlin, J.A., Hudait, M.K., Ringel, S.A., Wilt, D.M., Clark, E.B., Leitz, C.W., Currie, M., Langdo, T., Fitzgerald, E.A.
Publikováno v: Conference Record of the Twenty-Eighth IEEE Photovoltaic Specialists Conference - 2000 (Cat. No.00CH37036); 2000, p1006-1011, 6p
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
6
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
7
Akademický článek
Carrier mobilities and process stability of strained Si n- and p-MOSFETs on SiGe virtual substrates.
Autor: Currie, M. T., Leitz, C. W., Langdo, T. A., Taraschi, G., Fitzgerald, E. A., Antoniadis, D. A.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 2001, Vol. 19 Issue 6, p2268-2279, 12p
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
9
Akademický článek
Toward device-quality GaAs growth by molecular beam epitaxy on offcut Ge/Si1-xGex/Si substrates.
Autor: Sieg, R. M., Ringel, S. A., Ting, S. M., Samavedam, S. B., Currie, M., Langdo, T., Fitzgerald, E. A.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 1998, Vol. 16 Issue 3, p1471-1474, 4p
Zobrazit plný text záznamu
10
Periodical
The Crystallographic Properties of Strained Silicon Measured by X-Ray Diffraction
Autor: Erdtmann, M., Langdo, T.
Publikováno v: Journal of Materials Science: Materials in Electronics; February 2006, Vol. 17 Issue: 2 p137-147, 11p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje