Zobrazeno 1 - 10
of 26
pro vyhledávání: '"Lam, Jeffery"'
Publikováno v:
In Engineering Structures 15 July 2019 191:575-582
Autor:
Chen, C.Q., Ang, G.B., Ng, P.T., Rivai, Francis, Ng, H.P., Quah, A.C.T., Teo, Angela, Lam, Jeffery, Mai, Z.H.
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability September 2017 76-77:261-266
Autor:
Chen, C.Q., Ang, G.B., Ng, P.T., Rivai, Francis, Neo, S.P., Nagalingam, D., Yip, K.H., Lam, Jeffery, Mai, Z.H.
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability September 2017 76-77:141-144
Autor:
Chen, C.Q., Ng, P.T., Ang, G.B., T an, H., Rivai, Francis, Ma, Y.Z., Ng, H.P., Lam, Jeffery, Mai, Z.H.
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability September 2016 64:317-320
Autor:
Christian Suteja, He Ran, Liu Binghai, Mai Zhihong, Lam Jeffery, Toh Suey Li, Song Zhen, Tan Pik Kee, Zhao Yuzhe
Publikováno v:
2017 IEEE 24th International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA).
Transmission electron microscopy (TEM) is one of the most important characterization techniques in semiconductor failure analysis. However, preparation of a good TEM lamella for analysis has great challenges and requires a well-thought-out sequence o
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Lam, Jeffery Y.K.1, Sham, Ivan M.L.1, Lin, Xiuyi1,2, Li, Hedong1,3, Yu, Jing4, Leung, Christopher K.Y.4, Shih, Kaimin5
Publikováno v:
Journal of Hazardous Materials. Sep2018, Vol. 357, p40-52. 13p.
Autor:
Chen, C. Q., Ng, G. B. Ang. P.T., Ng, H. P., Alfred, Q., Huang, Y. M., Mai, Z. H., Lam, Jeffery
Publikováno v:
2015 IEEE 22nd International Symposium on the Physical & Failure Analysis of Integrated Circuits; 2015, p242-245, 4p