Zobrazeno 1 - 10 of 30 pro vyhledávání: '"Lakhdara, M."'
1
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
2
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
3
Akademický článek
Effect of Trench Isolation on the Self-heating Phenomenon in Advanced Radio Frequency SiGe Heterojunction Bipolar Transistor.
Autor: Kherief, N., Latreche, S., Lakhdara, M., Boulgheb, A., Gontrand, C.
Publikováno v: Journal of Nano- & Electronic Physics; 2021, Vol. 13 Issue 1, p01021-1-01021-5, 5p
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Analysis of Self-heating of a SiGe HBT Designed for RF Applications According to the Percentage of Germanium.
Autor: Boulgheb, A., Lakhdara, M., Kherief, N., Latreche, S.
Publikováno v: Journal of Nano- & Electronic Physics; 2020, Vol. 12 Issue 6, p06001-1-06001-5, 5p
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
7
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
8
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
9
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
10
Conference
Influence of the position of electrically active defects on the characteristics of an SiGe HBT.
Autor: Lakhdara, M., Latreche, S., Miller, F., Gontrand, C.
Publikováno v: Proceedings the 16th International Conference on Microelectronics, 2004 (ICM 2004); 2004, p569-573, 5p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje