Zobrazeno 1 - 6
of 6
pro vyhledávání: '"Lahr, Oliver"'
Due to their low-temperature processing capability and ionic bonding configuration, amorphous oxide semiconductors (AOS) are well suited for applications within future mechanically flexible electronics. Over the past couple of years, amorphous zinc t
Externí odkaz:
https://ul.qucosa.de/id/qucosa%3A89094
https://ul.qucosa.de/api/qucosa%3A89094/attachment/ATT-0/
https://ul.qucosa.de/api/qucosa%3A89094/attachment/ATT-0/
Autor:
Lahr, Oliver
The present thesis addresses a sustainable approach to mechanically flexible and transparent electronic devices based on the amorphous oxide semiconductor zinc tin oxide (ZTO) as abundant and low-cost alternative to already industrially established m
Externí odkaz:
https://ul.qucosa.de/id/qucosa%3A84457
https://ul.qucosa.de/api/qucosa%3A84457/attachment/ATT-0/
https://ul.qucosa.de/api/qucosa%3A84457/attachment/ATT-0/
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Schottky diode FET logic (SDFL) ring oscillator circuits comprising metal-semiconductor field-effect transistors (MESFETs) based on amorphous zinc-tin-oxide (ZTO) n-channels are presented. The ZTO channel layers are deposited entirely at room tempera
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::90f66c6d5b29f450bb7462e3409553e6
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.