Static and switching characteristics of 10 kV-class Silicon Carbide Transistors and Darlingtons

Autor: Asllani, Besar, Bevilacqua, Pascal, Morel, Hervé, Planson, Dominique, Phung, Luong Viet, Choucoutou, Beverley, Lagier, Thomas, Mermet-Guyennet, Michel

Publikováno v: Materials Science Forum
Materials Science Forum, Trans Tech Publications Inc., 2020, 1004, pp.923-932. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.1004.923⟩

International audience; This paper reports the device design, fabrication and characterisation of 10 kV-class BJT. Manufactured devices have been packaged in single BJT, two paralleled BJTs and Darlington. The static and switching characteristics of

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::a934d08bdfc2179e1cd3e343141a0e4a
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02931290/file/ICSCRM2019_BJT_review.pdf

A 100 kW 1.2 kV 20 kHz DC-DC converter prototype based on the Dual Active Bridge topology

Autor: Lagier, Thomas, Chédot, Laurent, Wallart, François, Ghossein, Layal, Lefebvre, Bruno, Dworakowski, Piotr, Mermet-Guyennet, Michel, Buttay, Cyril

Publikováno v: Proceedings of the 2018 IEEE International Conference on Industrial Technology
2018 IEEE ICIT
2018 IEEE ICIT, Feb 2018, Lyon, France. ⟨10.1109/ICIT.2018.8352238⟩
ICIT

International audience; This article presents the design, the fabrication, and the test of an isolated DC-DC converter for renewable energy applications. The converter is based on the Dual Active Bridge topology and uses silicon carbide power semicon

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::c7c9fa4c9b35be4e11799a5c3640efb5
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01747437

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.