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pro vyhledávání: '"Ladungsträger"'
Publikováno v:
Physik in unserer Zeit. 54:93-97
Der Terahertz‐Frequenzbereich umfasst ein technisch wenig erschlossenes Grenzgebiet im elektromagnetischen Spektrum. Es ist aber besonders interessant, weil es im niederenergetischen Bereich viele Eigenfrequenzen, komplexer Quantenphänomene enthä
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::a8a3f06520aa6fb42eb2f81a9dda1514
https://doi.org/10.1002/piuz.202301656
https://doi.org/10.1002/piuz.202301656
Autor:
Lange, Volker, Lehmann, Lukas
Wer beim Thema Verpackung an Versandkartons, Gemüsesteigen und Europaletten denkt, liegt erst einmal richtig. Verpackung ist mittlerweile aber auch eine Pillendose, die rot leuchtet und in Warnsignal gibt, wenn die Einnahme des Medikaments einmal ve
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7dab6ee9d1fcd1e2dd087dea27b7498b
Autor:
Belov, Oleg, Chilla, Tim
Ladungsträger händisch zu zählen und Informationen über sie zu erfassen kann zeitaufwendig und kostenintensiv sein. Das Fraunhofer IML aus Dortmund hat für die Herausforderung eine Lösung erdacht.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______610::ed5990edfe93ebcbef3d56b7c8c31499
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/437704
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/437704
Autor:
Gollner, Laura
Die Charakterisierung von Halbleitermaterialien und -bauelementen gewinnt, aufgrund ihrer schnellen Weiterentwicklung und der großen Nachfrage nach diesen in verschiedensten Bereichen, immer mehr an Bedeutung. Um die virtuelle Charakterisierung von
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1a7d588767ecc7c85622b163953e90c7
Autor:
Knipschild, Jan
Im Rahmen dieser Arbeit wird ein Verfahren entwickelt, das Ladungsträger für die Logistik automatisiert erzeugt und herstellt. Es wird auf Basis der Ladungsgutgeometrie ein kastenförmiger Ladungsträger generiert, der nachfolgend bezüglich der To
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::82e77c19c0b6b95bcd2307853e0d961d
http://hdl.handle.net/2003/41367
http://hdl.handle.net/2003/41367
Autor:
Kretschmer, Imme Elisabeth
Während des vergangenen Jahrzehnts gewann die Synthese neuartiger Materialien für die Anwendung bei der photoelektrochemischen Wasserspaltung zunehmende Bedeutung. Das Verständnis der zugrunde liegenden Reaktionsmechanismen ist für die Entwicklun
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::8fda6b6e970d8c6e02039a5873fdce8b
Autor:
Kirstein, Johan Erik
In the present work, the charge carrier spin dynamics in lead halide perovskites APbX3, with X = {I,Br,Cl} are studied. The lead halide perovskites are distinguished with respect to the groups of purely inorganic perovskites with A = Cs and hybrid or
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::76cc00aebc6dae9b19588340fdf715cc
Autor:
Sharma, Prateek
Arbeit an der Bibliothek noch nicht eingelangt - Daten nicht geprüft
Abweichender Titel nach Übersetzung der Verfasserin/des Verfassers
Reliability in metal oxide semicondcutor (MOS) transistors is an important concern due to their use in
Abweichender Titel nach Übersetzung der Verfasserin/des Verfassers
Reliability in metal oxide semicondcutor (MOS) transistors is an important concern due to their use in
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::7fc4d3b2b4d658ae1edef98f96b50bea
Autor:
Ruch, Bernhard
Bei der Entwicklung von neuen Transistortechnologien ist ein Hauptaugenmerk die Verbesserung der Zuverlässigkeit. In den letzten Jahrzehnten hat sich die Erforschung der Degradation an der Silizium-Oxid-Grenzfläche von Metal Oxid Halbleiter (MOS)-S
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f7057da29bddc01f16a06cc36005f695