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Publikováno v:
In Embedded Mechatronic Systems 1 Edition: Second Edition. 2019:123-143
Publikováno v:
In Embedded Mechatronic Systems 2015:119-139
Autor:
Bayle, Franck, Borza, Dan, Dahoo, Pierre Richard, Descamps, Philippe, Dherbecourt, Pascal, El Hami, Abdelkhalak, El Maani, Rabii, Eudeline, Philippe, Fontaine, Maxime, Gautier, Christian, Joubert, Eric, Kadi, Moncef, Kamdel, Alain, Khemiri, Samh, Khettab, Malika, Lacheze, Ludovic, Latry, Olivier, Linares, Jorge, Maanane, Hichame, Martin, Patrick, Nistea, Ioana, Polaert, Hubert, Pougnet, Philippe, Radi, Bouchaïb, Ramanujan, Abhishek, Riah, Zouheir
Publikováno v:
In Embedded Mechatronic Systems 1 Edition: Second Edition. 2019:251-253
Autor:
Fonder, Jean Baptiste, Temcamani, Farid, Duperrier, Cédric, Latry, Olivier, Dherbecourt, Pascal, Lacheze, Ludovic, Stanislawiak, Michel, Eudeline, Philippe
Publikováno v:
17èmes Journées Nationales Microondes
17èmes Journées Nationales Microondes, May 2011, Brest, France. pp.4C-2
17èmes Journées Nationales Microondes, May 2011, Brest, France. pp.4C-2
4 pages; National audience; Un amplificateur de puissance RF a été conçu en vue d'une étude de la fiabilité des transistors HEMT GaN. Architecturé autour d'un transistor NITRONEX NPTB00050, et fonctionnant en classe B, à la fréquence de 3GHz,
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::55e3c9893f4191646af769899d4bc415
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00671523
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00671523
Autor:
Fonder, Jean Baptiste, Temcamani, Farid, Duperrier, Cédric, Latry, Olivier, Dherbecourt, Pascal, Lacheze, Ludovic, Stanislawiak, Michel, Eudeline, Philippe
Publikováno v:
13èmes Journées Nano Micro et Optoélectronique, Les Issambres (France)
13èmes Journées Nano Micro et Optoélectronique, Les Issambres (France), Sep 2010, Les Issambres, France. pp.Poster 38
13èmes Journées Nano Micro et Optoélectronique, Les Issambres (France), Sep 2010, Les Issambres, France. pp.Poster 38
National audience; Les transistors de puissance radiofréquence sont les éléments clés des modules d'émission RADAR. Depuis une décennie, on assiste à l'émergence d'une nouvelle technologie, les transistors HEMT AlGaN-GaN. Ce matériau à gran
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::d8d578c21e11d61c11eb0867ba1e1ba8
https://hal.science/hal-00735895
https://hal.science/hal-00735895
Publikováno v:
33nd Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits
33nd Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits WOCSDICE 2009
33nd Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits WOCSDICE 2009, May 2008, Malaga, Spain
33nd Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits WOCSDICE 2009
33nd Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits WOCSDICE 2009, May 2008, Malaga, Spain
International audience
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::5b062c9f09eac7678f8d440563d299c5
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00401306
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00401306
Autor:
Bayle, Franck, Borza, Dan, Dahoo, Pierre Richard, Descamps, Philippe, Dherbecourt, Pascal, El Hami, Abdelkhalak, Eudeline, Philippe, Fontaine, Maxime, Gautier, Christian, Joubert, Eric, Kadi, Moncef, Kamdel, Alain, Khemiri, Samh, Khettab, Malika, Lacheze, Ludovic, Latry, Olivier, Linares, Jorge, Maanane, Hichame, Martin, Patrick, Nistea, Ioana, Polaert, Hubert, Pougnet, Philippe, Radi, Bouchaïb, Ramanujan, Abhishek, Riah, Zouheir
Publikováno v:
In Embedded Mechatronic Systems 2015:233-234
Autor:
Lachèze, Ludovic
Le développement des systèmes de télécommunication et de transfert d’informations motive la mise au point de systèmes de transmission qui permettent des débits plus élevés sur des distances plus grandes. De ce fait, les transistors utilisé
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http://www.theses.fr/2009BOR13975/document