Výsledky vyhledávání

Akademický článek

Identification of the energy levels of Si:Rh.

Autor: Zhou, Jie, Wu, Ji-an, Lu, Li-wu, Han, Zhi-yong

Publikováno v: Journal of Applied Physics; 2/15/1991, Vol. 69 Issue 4, p2251, 5p

Optical Properties of Phase-Separated GaN 1− x P x Alloys Grown by Light-Radiation Heating Metal-Organic Chemical Vapour Deposition

Autor: Wang Jiang-Nong, Shen Bo, Chen Ting-Jie, LU Li-Wu, GE Wei-Kun

Publikováno v: Chinese Physics Letters. 22:2081-2083

Based on the results of the temperature-dependent photoluminescence (PL) measurements, the broad PL emission in the phase-separated GaNP alloys with P compositions of 0.03, 0.07, and 0.15 has investigated. The broad PL peaks at 2.18, 2.12 and 1.83 eV

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e19c3db28e286631839dffea1a04db56
https://doi.org/10.1088/0256-307x/22/8/071

Zobrazit plný text záznamu

Deep center defects in AlGaAs/GaAs GRIN-SCH-SQW lasers fabricated by MBE and MOCVD

Autor: Lu Li-Wu, Feng Song-Lin, Zhou Jie

Publikováno v: International Electron Devices and Materials Symposium.

The deep center traps of AlGaAs/GaAs GRIN-SCH SQW lasers fabricated by MBE and MOCVD have been studied using DLTS (Deep Level Transient Spectroscopy) technique.The DLTS spectra show that deep (electron and hole) traps, having larger capture cross sec

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::24bd8153550e17d611516265658399e6
https://doi.org/10.1109/edms.1994.771316

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Physical behavior of ruthenium in silicon.

Autor: Zhou, Jie, Wu, Ji-an, Lu, Li-wu, Han, Zhi-yuong

Publikováno v: Journal of Applied Physics; 2/15/1991, Vol. 69 Issue 4, p2746, 3p, 3 Graphs

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Surface states of InAlN film grown by MOCVD

Autor: Huang Cheng-Cheng, Xu Fu-Jun, Wang Xin-Qiang, Yang Yan-Nan, Shen Bo, Lu Li-Wu

Publikováno v: Acta Physica Sinica. 62:177302

The surface state properties (such as surface state density, time constant and level position related to the bottom of InAlN conduction band) of Ni/Au/-InAlN Schottky barrier diodes with nearly lattice matched (InN=18%) and tensilely (15%) or compres

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a9bcb29a7a4ed04e0ec10fb9b99242b1
https://doi.org/10.7498/aps.62.177302

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

CONDUCTION-BAND OFFSET IN PSEUDOMORPHIC GaAs/In0.2Ga0.8As QUANTUM WELL DETERMINED BY C-V PROFILING AND DLTS TECHNIQUES

Autor: Jiannong Wang, Wang Zhan-Guo, Lu Li-Wu, Yang Guowen, Zhang Yan-Hua, Y.Wang, Weikun Ge

Publikováno v: Acta Physica Sinica. 47:1339

The conduction-band offset ΔEc has been determined for molecular beam epitaxy (MBE) grown GaAs/In0.2Ga0.8As single quantum well structure,by measuring the capacitance-voltage profiling, while taking into account a correction for the interface charge

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b697873e9045c330e5066e105f2bb7fe
https://doi.org/10.7498/aps.47.1339

Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání