Zobrazeno 1 - 10
of 34
pro vyhledávání: '"L.S. Plano"'
Autor:
Chien‐teh Kao, Alison J Tessmer, B. A. Fox, Joseph S. Holmes, H. A. Wynands, Glenn J. Tessmer, L.S. Plano, David L. Dreifus, R.B. Henard, Michelle L. Hartsell, Dean Malta
Publikováno v:
Diamond and Related Materials. 4:622-627
Diamond offers tremendous potential for electronic applications such as field effect transistors. An investigation of the electrical properties of boron-doped homoepitaxial diamond films and the metal-oxide-diamond gate structure was performed. Addit
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::060447348aa975d3ae892cebd8193d02
https://doi.org/10.1016/0925-9635(94)05245-x
https://doi.org/10.1016/0925-9635(94)05245-x
Publikováno v:
Surface and Coatings Technology. 47:356-364
Intrinsic photoconductivity is studied in microwave plasma-enhanced chemically vapor deposited polycrystalline diamond thin films. Two excitation sources are used to excite free carriers: a mode-locked Nd:YAG laser producing UV pulses 3–5 ps in dur
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::14696bd49e99e154e901229c77ddaa4e
https://doi.org/10.1016/0257-8972(91)90301-c
https://doi.org/10.1016/0257-8972(91)90301-c
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 14:66-68
Operation of polycrystalline diamond field-effect transistors (FETs) at temperatures up to 285 degrees C and drain-to-source voltages of up to 100 V has been demonstrated. The devices were fabricated from B-doped polycrystalline diamond grown by a mi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1114fcd1cfe8ca84ef6f2dab354499d6
https://doi.org/10.1109/55.215110
https://doi.org/10.1109/55.215110
Autor:
L.S. Plano
Publikováno v:
Diamond: Electronic Properties and Applications ISBN: 9780792395249
Single crystal diamond has a unique combination of electronic and materials properties that would be useful for a number of electronic applications. For instance, the extremely high thermal conductivity of diamond combined with its low dielectric con
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::912dd8ef6b22019c38a070cc66616a67
https://doi.org/10.1007/978-1-4615-2257-7_3
https://doi.org/10.1007/978-1-4615-2257-7_3
Autor:
Joseph S. Holmes, Alison J Tessmer, Chien‐teh Kao, David L. Dreifus, Brian R. Stoner, Dean Malta, L.S. Plano
Publikováno v:
MRS Proceedings. 339
Metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (FETs) have been fabricated using B-doped diamond thin films deposited on polycrystalline, (100) highly-oriented, and single crystal diamond insulating substrates. Diamond films were grown using a mi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8055ad66f0da6dddfde7f6bc542a12f3
https://doi.org/10.1557/proc-339-109
https://doi.org/10.1557/proc-339-109
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 39:2666-2667
Summary form only given. The authors report the first demonstration of a polycrystalline diamond (PCD) FET which exhibits saturation and pinchoff. The PCD material was grown by a microwave enhanced chemical vapor deposition technique. Following room-
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3f14cb774ebb1f35ec21813af930a79c
https://doi.org/10.1109/16.163536
https://doi.org/10.1109/16.163536
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.