Zobrazeno 1 - 7
of 7
pro vyhledávání: '"L.R. Thibault"'
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 28:1338-1345
Electron-beam lithography with a novel multilevel resist structure together with two-dimensional process and device modeling and dry processing with reactive sputter etching have been employed to produce silicon-gate NMOS devices with micrometer and
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6ba4ab3f7fd167935ff0eed1fb791274
https://doi.org/10.1109/t-ed.1981.20611
https://doi.org/10.1109/t-ed.1981.20611
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.