Zobrazeno 1 - 10
of 34
pro vyhledávání: '"L.P. Porokhovnichenko"'
Autor:
E. P. Drugova, M. A. Lelekov, V. A. Chubirko, O. P. Tolbanov, D. Yu. Mokeev, M. D. Vilisova, I. V. Ponomarev, L.P. Porokhovnichenko, G. I. Ayzenshtat
Publikováno v:
Technical Physics. 51:1008-1011
Two types of photovoltaic X-ray detectors based on intrinsic and chromium-compensated epitaxial gallium arsenide are studied. The amplitude spectra taken with different radioactive sources show that the efficiency of charge collection in these detect
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9cae211f2323e31a9ccbaf79d4468597
https://doi.org/10.1134/s1063784206080093
https://doi.org/10.1134/s1063784206080093
Autor:
A.V. Khan, V.G. Kanaev, G.I. Ayzenshtat, A. P. Vorobiev, L.P. Porokhovnichenko, A.I. Potapov, O. P. Tolbanov
Publikováno v:
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment. 466:162-167
GaAs coordinate detectors for X-ray systems of scanning type have been developed. Two modifications of the detectors have been constructed for ionizing radiation detection in parallel and perpendicular to the electric field direction in the detector
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::bee2f90c03d7519bcf5f8be7856a6878
https://doi.org/10.1016/s0168-9002(01)00839-7
https://doi.org/10.1016/s0168-9002(01)00839-7
Autor:
D.L. Budnitsky, S.M. Guschin, V.P. Germogenov, A.A. Larionov, O. P. Tolbanov, A.I. Potapov, A. P. Vorobiev, L.P. Porokhovnichenko
Publikováno v:
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment. 466:33-38
The growth and characteristics of the detector p–i–n-structures fabricated by means of the epitaxial methods are discussed. High-resistivity i-layers containing chromium as a compensated impurity have been grown on the n-GaAs substrates by the li
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::bd2536124d36dde0769117e070d7c3a2
https://doi.org/10.1016/s0168-9002(01)00821-x
https://doi.org/10.1016/s0168-9002(01)00821-x
Autor:
E. P. Drugova, L.P. Porokhovnichenko, O.B. Koretskaya, A.I. Potapov, D.L. Budnitsky, V.P. Germogenov, N.N. Bakin, L.S. Okaevich, A. V. Tyazhev, S.S. Khludkov, A.P. Vorobiev, G.I. Ayzenshtat, Kevin M. Smith, O.P. Tolbanov, M. D. Vilisova
Publikováno v:
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment. 466:25-32
A comparative analysis of characteristics of detector structures fabricated by means of technology of epitaxial growth of an undoped high-resistive GaAs layer as well as structures based on SI-GaAs compensated with Cr during a diffusion process is pr
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3242b68fad96e852ca7a9a0fc8a65973
https://doi.org/10.1016/s0168-9002(01)00820-8
https://doi.org/10.1016/s0168-9002(01)00820-8
Autor:
G. I. Ayzenshtat, M. D. Vilisova, A.I. Ivashchenko, L.P. Porokhovnichenko, L. G. Shapoval, D. Yu. Mokeev, O.P. Tolbanov, M. A. Lelekov
Publikováno v:
2005 Siberian Conference on Control and Communications.
The gallium arsenide detectors working in photovaultarical mode on epitaxial films compensated by chromium are developed. It is shown that in such detectors it is possible to essentially increase the efficiency of charge collection at inclined positi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c0f1771a6e100cc06fb38d5b2f2f3563
https://doi.org/10.1109/sibcon.2005.1611196
https://doi.org/10.1109/sibcon.2005.1611196
Autor:
E.P. Drugova, V. A. Chubirko, D.Y. Mokeev, L.P. Porokhovnichenko, M. D. Vilisova, I. V. Ponomarev, O.P. Tolbanov
Publikováno v:
2005 Siberian Conference on Control and Communications.
Detector structures based on VPE GaAs layers, compensated by Cr at diffusion process, have been studied at present article. Detectors were with active region both n-type and /spl pi/-type. It was shown, that at structures based on n-type layers width
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3312c509200155adf4f047a075dffffd
https://doi.org/10.1109/sibcon.2005.1611203
https://doi.org/10.1109/sibcon.2005.1611203
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.