Zobrazeno 1 - 10
of 70
pro vyhledávání: '"L.M. Gignac"'
Superb Endurance and Appropriate Vth of PCM Pillar Cell using Buffer Layer for 3D Cross-Point Memory
Autor:
Matthew J. BrightSky, Huai-Yu Cheng, N. Gang, Cheng-Wei Cheng, Erh-Kun Lai, C. W. Yeh, Asit Kumar Ray, Robert L. Bruce, H.L. Lung, Kuo I-Ting, L.M. Gignac, Fabio Carta, C. H. Yang, Wanki Kim, John M. Papalia, Wei-Chih Chien
Publikováno v:
2019 IEEE 11th International Memory Workshop (IMW).
A reliability study for phase change memory (PCM) pillar cell is performed. We found that without a buffer layer, the PCM pillar cell shows earlier endurance failure than its mushroom counterpart, and the underlying failure mechanism is attributed to
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8e89a34d21d4029032c2b0c898f1c5e8
https://doi.org/10.1109/imw.2019.8739477
https://doi.org/10.1109/imw.2019.8739477
Publikováno v:
Microscopy Today. 10:5-9
Numerous microscopy techniques, based on both imaging and diffraction, exist for the measurement of grain size distributions in polycrystalline thin-film samples. The accuracy of each technique is affected by three major factors: the effective resolu
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f9876a07699ed02208d1290ce3170a80
https://doi.org/10.1017/s1551929500058430
https://doi.org/10.1017/s1551929500058430
Publikováno v:
Thin Solid Films. 261:59-63
Porous SiO 2 films derived from a novel organic-inorganic composite sol-gel process were studied for possible applications in the microelectronics industry. The films were capped with plasma-enhanced chemical-vapor-deposited silicon nitride and chara
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2021accb73c71123359978101ecd0069
https://doi.org/10.1016/s0040-6090(94)06497-0
https://doi.org/10.1016/s0040-6090(94)06497-0
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
L.M. Gignac, K.P. Rodbell
Publikováno v:
Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America. 54:358-359
As advanced semiconductor device features shrink, grain boundaries and interfaces become increasingly more important to the properties of thin metal films. With film thicknesses decreasing to the range of 10 nm and the corresponding features also dec
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f708eb10d502454c9be8e6a8f2bc52e7
https://doi.org/10.1017/s0424820100164258
https://doi.org/10.1017/s0424820100164258
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.