Zobrazeno 1 - 10
of 38
pro vyhledávání: '"L.K. Magel"'
Autor:
W.C. McDonald, Vincent C. Lopes, L.K. Magel, Seth A. Miller, Simon Joshua Jacobs, Malone Joshua
Publikováno v:
2002 IEEE International Reliability Physics Symposium. Proceedings. 40th Annual (Cat. No.02CH37320).
Exposure of operating MEMS structures to atmospheric gasses may have deleterious effects on device performance. Here we consider from a phenomenological point of view the effects that moisture has on both short- and long-term performance characterist
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::28d021ed559627e51a7c67ce634e6112
https://doi.org/10.1109/relphy.2002.996625
https://doi.org/10.1109/relphy.2002.996625
Autor:
Ih-Chin Chen, Richard A. Chapman, P.J. Chen, Sunil V. Hattangady, H.-L. Tsai, Jiong-Ping Lu, L.K. Magel, George A. Brown, Antonio L. P. Rotondaro, J.C. Hu, H. Yang, J.D. Luttmer, B. Amirhekmat, Robert Kraft
Publikováno v:
International Electron Devices Meeting. IEDM Technical Digest.
CVD W/CVD TiN stacks are studied for the first time as gate electrodes on 3 nm gate oxide and compared with the CVD W/PVD (sputtering) TiN gate stacks and the baseline n/sup +/ poly gate. It is found that the PVD TiN has higher metal-to-SiO/sub 2/ ba
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2353e97d0eb39a38bbc1a2ea208ce47c
https://doi.org/10.1109/iedm.1997.650423
https://doi.org/10.1109/iedm.1997.650423
Autor:
Thomas W. Sigmon, L.K. Magel
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 86:756-761
In order to more clearly understand the effects of temperature and ion current on ion-implantation induced disorder in Hg0.7Cd0.3Te, we have implanted various doses of indium at 300 keV using different implant currents and heat sink conditions. Calcu
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::bf5a84f46aadd6296e05ccad36b8d34e
https://doi.org/10.1016/0022-0248(90)90803-s
https://doi.org/10.1016/0022-0248(90)90803-s
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.