Zobrazeno 1 - 10
of 103
pro vyhledávání: '"L.G. Neto"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
R.A.C. Altafim, H.C. Basso, R.A.P. Altafim, L. Lima, C.V. de Aquino, L.G. Neto, R. Gerhard-Multhaupt
Publikováno v:
IEEE Transactions on Dielectrics and Electrical Insulation. 13:979-985
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ee1947ae465ef53eb87af6916bb18ab3
https://doi.org/10.1109/tdei.2006.1714920
https://doi.org/10.1109/tdei.2006.1714920
Publikováno v:
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. 50:9-12
In this paper, the design and fabrication of silicon-based optical waveguides are revisited. The goal is to develop a novel design and deposition process to minimize leakage losses. Interface roughness and Si/sub 3/N/sub 4/ stoichiometry are examined
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8da5ae70af455d28d47c9a52ef024646
https://doi.org/10.1109/22.981236
https://doi.org/10.1109/22.981236