Zobrazeno 1 - 10
of 19
pro vyhledávání: '"L.F. Tsang"'
Autor:
Helen YL. Chan, Winnie KW. So, Gloria Aboo, Alice SY. Sham, Gigi SC. Fung, Winnie SL. Law, Heidi LH. Wong, Cecilia LT. Chau, L.F. Tsang, Christina Wong, S.Y. Chair
Publikováno v:
Nurse Education in Practice. 38:112-119
Nurse preceptors play an important role in supporting newly qualified nurses during transition periods. However, limited attention is given to the needs and experience of nurse preceptors with expected responsibilities. This study aimed to examine th
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Proceedings of the 72nd International Symposium on Molecular Spectroscopy.
Electronic transition spectrum of the tungsten monosulfide (WS) molecule in the near infrared region between 725 nm and 885 nm has been recorded using laser ablation/reaction free-jet expansion and laser induced fluorescence spectroscopy. The WS mole
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Proceedings of IECON'94 - 20th Annual Conference of IEEE Industrial Electronics.
The fabrication methods of planar inductors for switching mode power supplies are studied. Initially, the advantages and disadvantages of such devices are introduced. The magnetic materials used in the devices (such as ferrites) and the preparation w
Autor:
L.F. Tsang
Publikováno v:
1994 IEEE Hong Kong Electron Devices Meeting.
Copper coating is a process that converts an insulative ZnS phosphor powder conductive. Forming is a crucial fabrication step in DCEL technology. Further, forming is known to be the cause of aging in DCEL devices. It is well known that the temperatur
Publikováno v:
1995 IEEE TENCON. IEEE Region 10 International Conference on Microelectronics and VLSI. 'Asia-Pacific Microelectronics 2000'. Proceedings.
We have shown that r.f. sputtered Si films crystallized by cw Ar/sup +/ laser irradiation is a suitable material for fabrication of polysilicon TFTs. Polycrystalline Si film with proper annealing condition has a high Hall mobility up to 120 cm/sup 2/
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.