Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"L.D. Driscoll"'
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 48:1407-1416
The purpose of this article is to briefly review the recent progress in terms of mobility and drive current enhancements achieved in strained-Si n- and p-metal oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs). Strained Si MOSFETs are potential
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::fb2e5e42421f5d3defb4daf053766566
https://doi.org/10.1016/j.sse.2004.01.018
https://doi.org/10.1016/j.sse.2004.01.018
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.