Zobrazeno 1 - 10
of 15
pro vyhledávání: '"L.C.M. van den Oever"'
Autor:
Lis K. Nanver, W.D. van Noort, H.W. van Zeijl, Jan W. Slotboom, T.L.M. Scholtes, Q.W. Ren, L.C.M. van den Oever
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 45:1899-1904
A detailed experimental study has been made of the issues related to base dopant activation and mesa isolation in collector-up SiGe HBTs. It is concluded that to avoid excessive emitter–base diode leakage: (i) the metallurgic emitter–base junctio
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e4c6b99a53970a2daa67764fb42b5d02
https://doi.org/10.1016/s0038-1101(01)00230-1
https://doi.org/10.1016/s0038-1101(01)00230-1
Autor:
C. Chanlo, P.J. van der Wel, J. Dijkhuis, H.K.J. ten Dolle, L.C.M. van den Oever, R.J. Havens
Publikováno v:
2007 Proceedings 57th Electronic Components and Technology Conference.
Passive integration technologies gain more and more interest for cellular applications due to the increasing demand for integration of functionality for cost, performance and size reasons[1-4]. One of the examples is the 6" PASSI4 process of NXP semi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ae804ae76ba3c5cd9a4b52c6f0f612d0
https://doi.org/10.1109/ectc.2007.374050
https://doi.org/10.1109/ectc.2007.374050
Publikováno v:
Proceedings of the 2001 BIPOLAR/BiCMOS Circuits and Technology Meeting (Cat. No.01CH37212).
In this paper the high-frequency capability of SiGe HBT's is examined by using 1-dimensional device simulations in MEDIC. SiGe HBT's with f/sub T/=200 GHz for BV/sub CE0/=1.7 V and R/sub B/=2 k/spl Omega//sq are demonstrated in simulations that inclu
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7a1d9d47e96caecaf76a576e28e6c8de
https://doi.org/10.1109/bipol.2001.957861
https://doi.org/10.1109/bipol.2001.957861
Publikováno v:
30th European Solid-State Device Research Conference.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::41736e49176c2b84ce5d968403127566
https://doi.org/10.1109/essderc.2000.194841
https://doi.org/10.1109/essderc.2000.194841
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.