Zobrazeno 1 - 10
of 80
pro vyhledávání: '"L.A Borisova"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Thin Solid Films. 342:180-183
The surface micromorphology and growth rate of InSb layers grown by liquid phase electroepitaxy (LPEE) on B(111) surface of InSb substrate were studied. The mixing of In- and Bi-solutions was used to realize the kinetic regime of crystallization. The
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a0ff43d516f80d423fe78a56377d7807
https://doi.org/10.1016/s0040-6090(98)01415-1
https://doi.org/10.1016/s0040-6090(98)01415-1
Autor:
L.A. Borisova, Z.L. Akkerman
Publikováno v:
Materials Research Bulletin. 18:1521-1528
A model of defect states caused by incorporation of carbon in GaAs crystal lattice is proposed. The carbon atoms form three defect states: an acceptor state, C As , and two donor states, C Gs and (C-C) As Thermodynamic calculations of the carbon inco
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::92f78fd5080b68617de9f3406e6c81a8
https://doi.org/10.1016/0025-5408(83)90193-9
https://doi.org/10.1016/0025-5408(83)90193-9
Publikováno v:
Materials Research Bulletin. 21:77-84
Defects appearing in GaAs crystals and layers (LPE), which were doped with oxygen or silicon and oxygen, were studied by the photo- and electroabsorption method. The concentration dependence of the defects was studied and it was shown that the deep l
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::27e864ef663ead5888e2910880588c43
https://doi.org/10.1016/0025-5408(86)90032-2
https://doi.org/10.1016/0025-5408(86)90032-2
Publikováno v:
Thin Solid Films. 32:93-99
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::125fdd07ebca198800ee532cdb72fb36
https://doi.org/10.1016/0040-6090(76)90565-4
https://doi.org/10.1016/0040-6090(76)90565-4
Publikováno v:
Journal of Solid State Chemistry. 3:420-424
The behavior in gallium arsenide of copper introduced through the melt has been investigated. Measurements have been made on the electrical and photoluminescent properties of single crystals that had either been quenched from Tcryst, slowly cooled af
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::587a53e0fa6e64c08f83f6a75335a124
https://doi.org/10.1016/0022-4596(71)90079-x
https://doi.org/10.1016/0022-4596(71)90079-x
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.