Zobrazeno 1 - 3
of 3
pro vyhledávání: '"L.-S. Jeng"'
Autor:
L.-S. Jeng, Yi-Shao Liu, Ming-Jer Chen, Yang Jing-Hwang, C. K. Yang, Tsui Felix Ying-Kit, Yi-Chun Huang, Tung-Tsun Chen, Jui-Cheng Huang, Chin-Hua Wen, C. H. Hsieh, C.-C. Lin, Sheng-Da Liu
Publikováno v:
2015 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM).
A dual-gate ion-sensitive field-effect transistor (DGFET) with the back-side sensing structure implemented in a 0.18 μm SOI-CMOS SoC platform realizing high performance bioelectrical detection with non-ideal effect reduction is presented. Non-ideal
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d74a1c3577c92fce4e22962e46fbc797
https://doi.org/10.1109/iedm.2015.7409792
https://doi.org/10.1109/iedm.2015.7409792
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.