Zobrazeno 1 - 10
of 112
pro vyhledávání: '"L.-H. Chung"'
Autor:
T. M. Blattmann, S.-L. Wang, M. Lupker, L. Märki, N. Haghipour, L. Wacker, L.-H. Chung, S. M. Bernasconi, M. Plötze, T. I. Eglinton
Publikováno v:
Scientific Reports, Vol 9, Iss 1, Pp 1-8 (2019)
Abstract The chemical composition of the Gaoping River in Taiwan reflects the weathering of both silicate and carbonate rocks found in its metasedimentary catchment. Major dissolved ion chemistry and radiocarbon signatures of dissolved inorganic carb
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/4ee14f8f157847e5b6d1406c819a76ec
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
L H Chung, Zhi Wei Zheng, Chun-Hu Cheng, Chuan-Hsi Liu, Yung-Hsien Wu, Yen-Liang Chen, Po-Hsuan Chen, Guan-Lin Liou, Hsiao-Hsuan Hsu
Publikováno v:
Journal of Nanoscience and Nanotechnology. 19:5619-5623
In this paper, the effect of channel annealing and oxygen flow rate in P-type tin-monoxide (SnO) thin film transistor (TFT) was investigated to reach the process compatibility with n-type oxide-based TFT. The optimized P-type SnO TFT with a small thr
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::24414a534e531c6376de0292d88caa84
https://doi.org/10.1166/jnn.2019.16563
https://doi.org/10.1166/jnn.2019.16563
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.