Zobrazeno 1 - 10
of 353
pro vyhledávání: '"L.-E. Wernersson"'
Autor:
C. H. Wang, G. Doornbos, G. Astromskas, G. Vellianitis, R. Oxland, M. C. Holland, M. L. Huang, C. H. Lin, C. H. Hsieh, Y. S. Chang, T. L. Lee, Y. Y. Chen, P. Ramvall, E. Lind, W. C. Hsu, L.-E. Wernersson, R. Droopad, M. Passlack, C. H. Diaz
Publikováno v:
AIP Advances, Vol 4, Iss 4, Pp 047108-047108-9 (2014)
Two high-k dielectric materials (Al2O3 and HfO2) were deposited on n-type (100) and (110) InAs surface orientations to investigate physical properties of the oxide/semiconductor interfaces and the interface trap density (Dit). X-ray photoelectron spe
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/c841c504d9fa439b858a0ea944715b3b
Autor:
A. Jurgilaitis, H. Enquist, M. Harb, K. A. Dick, B. M. Borg, R. Nüske, L.-E. Wernersson, J. Larsson
Publikováno v:
Structural Dynamics, Vol 1, Iss 1, Pp 014502-014502-7 (2014)
We report on measurements of the light absorption efficiency of InSb nanowires. The absorbed 70 fs light pulse generates carriers, which equilibrate with the lattice via electron-phonon coupling. The increase in lattice temperature is manifested as a
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/01b370f2aa0b494db76c93db1516b402
Autor:
O. Persson, E. Lind, E. Lundgren, J. Rubio-Zuazo, G. R. Castro, L.-E. Wernersson, A. Mikkelsen, R. Timm
Publikováno v:
AIP Advances, Vol 3, Iss 7, Pp 072131-072131 (2013)
MOS devices based on III-V semiconductors and thin high-k dielectric layers offer possibilities for improved transport properties. Here, we have studied the interface structure and chemical composition of realistic MOS gate stacks, consisting of a W
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/a85c63d13f66490cbb7f05037fef5d28
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
M. Passlack, Peter Ramvall, T. Vasen, L.-E. Wernersson, G. Doornbos, Kimberly A. Dick, Aryan Afzalian, M. Holland, Claes Thelander
Publikováno v:
Scientific Reports, Vol 9, Iss 1, Pp 1-9 (2019)
Scientific Reports
Scientific Reports
Tunneling Field-Effect Transistors (TFET) are one of the most promising candidates for future low-power CMOS applications including mobile and Internet of Things (IoT) products. A vertical gate-all-around (VGAA) architecture with a core shell (C-S) s
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
M. Passlack, T. Vasen, Kimberly A. Dick, M. Holland, Claes Thelander, Aryan Afzalian, G. Doornbos, Peter Ramvall, L.-E. Wernersson
Publikováno v:
2019 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application (VLSI-TSA).
Tunneling field-effect transistors (TFET) based on a vertical gate-all-around (VGAA) nanowire (NW) architecture with a core-shell (CS) structure have been explored for future CMOS applications. Performance predictions based on a tight-binding mode-sp