Zobrazeno 1 - 10
of 106
pro vyhledávání: '"L. W. Tu"'
Autor:
Omar Lozano, Q. Y. Chen, B. P. Tilakaratne, H. W. Seo, X. M. Wang, P. V. Wadekar, P. V. Chinta, L. W. Tu, N. J. Ho, D. Wijesundera, W. K. Chu
Publikováno v:
AIP Advances, Vol 3, Iss 6, Pp 062107-062107 (2013)
Si wafers of (100), (110) and (111) orientations were bombarded by gas cluster ion beam (GCIB) of 3000 Ar-atoms/cluster on average at a series of angles. Similar surface morphology ripples developed in different nanoscales. A simple scaling functiona
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/2df7e8eda4fa46ce930bebc1456f1489
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of the Korean Physical Society. 71:340-344
Patterned arrays of epitaxial GaN (0001) nanorods by Si-ion bombardment of Si (111) substrates have been fabricated for the field emitters. The field emission characteristics of the GaN nanorod arrays were measured; both GaN nanorods on self-implante
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::eaebc975afe2677f35881f86d080f874
https://doi.org/10.3938/jkps.71.340
https://doi.org/10.3938/jkps.71.340
Time-integrated photoluminescence and pump-probe reflection spectroscopy of Si doped InN thin films.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 2014, Vol. 115 Issue 4, p1-6, 6p, 1 Chart, 5 Graphs
Autor:
K. Lorenz, S. M. C. Miranda, N. P. Barradas, E. Alves, Y. Nanishi, W. J. Schaff, L. W. Tu, V. Darakchieva, Floyd D. McDaniel, Barney L. Doyle
Publikováno v:
AIP Conference Proceedings.
The doping mechanisms of InN, a promising material for novel optoelectronic and electronic devices, are still not well understood. Unintentional hydrogen doping is one possibility that could explain the unintentional n‐type conductivity in high‐q
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::684fee4e69ee5638551ed8766968d868
https://doi.org/10.1063/1.3586110
https://doi.org/10.1063/1.3586110
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.