Poster presentation

Autor: W. Kwong, A. L. Neilson, R. M. Hamilton, C. C. Chiu, E. A. Stephenson, G. J. Gross, L. Soucie, J. A. Kirsh, Z. xian-hui, T. Bao-peng, L. Jin-xin, Z. Yu, Z. Yan-yi, Z. Jiang-hua, T. Hirahara, Y. Sugawara, C. Suga, J. Ako, S. Momomura, A. V. Ardashev, E. G. Zhelyakov, A. V. Konev, M. S. Rybachenko, Y. N. Belenkov, R. Bai, L. Di Biase, P. Santangeli, L. C. Saenz, A. Verma, J. Sanchez, C. Tondo, A. Natale, F. Safari, S. Hajizadeh, A. Mani, A. Khoshbaten, M. Foadoddini, S. S. Forush, G. Bayat, S.-H. Kim, D. Chong, C. K. Ching, R. Liew, null Galalardin, M. W. Khin, W. S. Teo, B. Y. Tan, T. Sakamoto, M. Al Mehairi, S. A. Al Ghamdi, K. Dagriri, A. Al Fagih, R. Selvaraj, B. Ezhumalai, S. Satheesh, A. Ajit, P. Gobu, J. Balachander, X.-q. Liu, X. Zhou, G. Yang, G.-z. Zhong, L. Shi, Y. Tian, Y.-b. Li, A.-h. Wang, X.-c. Yang, S. Takenaka, H. Ozaki, M. Nakamura, M. Otsuka, Y. Tsurumi, G. Nolker, K. J. Gutleben, G. Ritscher, A. M. Sinha, B. Muntean, J. Heintze, J. Vogt, J. Brachmann, D. Horstkotte, T. Katsuyuki, F. McGrew, E. Johnson, M. Coppess, I. Fan, S. Li, L. Zhiyu, L. Zengzhang, L. Xianbin, Y. Yuehui, L. Min, Z. Shu-long, C. Dong, Z. Zhi-tao, W. Xian-jing, D. Ying-xue, Z. Shu-Long, Z. Zhi-Tao, W. Xian-Jing, D. Ying-Xue, P. Liu, J.-H. Guo, Z. Zhang, J. Li, H.-G. Liu, H.-C. Zhang, V. Zvereva, A. Rillig, U. Meyerfeldt, W. Jung, L. Wei, G. Qi, Q. Zhang, Y. Xia, A. Doi, K. Satomi, I. Nakajima, H. Makimoto, T. Yokoyama, Y. Yamada, H. Okamura, T. Noda, T. Aiba, W. Shimizu, N. Aihara, S. Kamakura, Z. Li, Q.-y. Zhao, C.-x. Huang, C. Min-Seok, P. Jeong-Wook, H. Young-Woong, P. Sung-Eun, U. Jae-Sun, O. Yong-Seog, S. Woo-Seung, K. Ji-Hoon, J. Seong-Won, L. Man-Young, R. Tae-Ho, J.-S. Uhm, Y.-S. Oh, M.-S. Choi, J.-W. Park, Y.-W. Ha, S.-E. Park, S.-W. Jang, W.-S. Shin, J.-H. Kim, M.-Y. Lee, T.-H. Rho, J. B. Nielsen, M. S. Olesen, M. Tango, S. Haunso, A. G. Holst, J. H. Svendsen, D. Poci, A.-M. Thogersen, S. Riahi, P. Linde, N. Edvardsson, C. W. Khoo, S. Krishnamoorthy, G. Dwivedi, B. Balakrishnan, H. S. Lim, G. Y. H. Lip, S. D'Ascia, C. D'ascia, V. Marino, M. Chiariello, G. Santulli, L. Music, K. Anderson, B. S. Benzaquen, C. Saponieri, H. Yassin, V. Fridman, B. C. Vasavada, G. Turitto, N. El-Sherif, H. Prabhu, Y. Huang, M. C. Ortega, E. S.-H. Sosa, A. N. Ugalde, A. Al Jamil, M. Abu Siddique, K. M. H. S. S. Haque, S.-i. Momomura, R. Mlynarski, A. Mlynarska, G. Ilczuk, J. Wilczek, M. Sosnowski, R. Kohno, H. Abe, T. Nagatomo, Y. Oginosawa, H. Minamiguchi, Y. Otsuji, S. Ekinci, M. Yesil, S. Bayata, V. K. Vurgun, E. Arikan, N. Postaci, R. Xiaoqing, P. Jielin, Z. Shu, M. Liang, W. Fangzheng, K. Takahashi, T. Tokano, Y. Nakazato, S. Doi, T. Shiozawa, H. Konishi, M. Hiki, Y. Kato, S. Komatsu, S. Takahashi, N. Kubota, H. Tamura, S. Suwa, M. Ohki, T. Katsumata, K. Kizu, F. Bito, M. Sumiyoshi, H. D. Juntendo, T. Yukoyama, F. Perna, M. Leo, L. Leccisotti, M. Casella, G. Pelargonio, M. Lago, G. Bencardino, M. L. Narducci, E. Russo, A. Giordano, F. Bellocci, T. Song, J. Yang, C. Huang, J. Zhang, P. Wu, Y. Chen, X. Fan, T. Wang, X. Wang, Y. Tang, C.-X. Huang, X.-R. Fan, Y.-J. Chen, X.-W. Li, T. Buescher, D. Obias-Manno, C.-J. Yoo, J. Huh, H. Nakanishi, A. Hirata, M. Wada, K. Kashiwase, M. Okada, Y. Ueda, D. Su, X. L. Niu, A. Q. Song, S. Fujii, Y. Yambe, K. Shiiba, M. Sakakibara, A. Watanabe, T. Wada, Y. Koide, M. Ikeda, H. Toda, K. Hashimoto, R. Terasaka, M. Nakahama, Y. Okada, H. Mizuno, H. Ide, T. Ueno, S. Kogaki, K. Ozono, S. Nanto, C. Statescu, R. Bercea, R. A. Sascau, C. A. Georgescu, E. Athanas, N. Y. Mironov, S. A. Bakalov, E. A. Jarova, E. S. Rodionova, N. A. Mironova, J. Kim, M. S. Ahn, D. C. Han, J. T. L. Choo, C. K. Chen, T. H. Tan, K. K. Ong, R. Kam, A. Curnis, L. Bontempi, G. Coppola, M. Cerini, F. Vassanelli, A. Lipari, F. Gennaro, C. Pagnoni, N. Ashofair, L. D. Cas, V. Gourineni, K.-L. Wong, R. Davoudi, N. Hamid, T. B. Yew, C. C. Keong, T. W. Siong, E. Fuke, H. Shimizu, S. Kimura, K. Hao, R. Watanabe, J.-B. Seo, W.-Y. Chung, M.-A. Kim, Z.-H. Zo, S. Krishinan, N. A. Skuratova, L. M. Belyaeva, M. H. Bae, J. H. Lee, H. S. Lee, D. H. Yang, H. S. Park, Y. Cho, S. C. Chae, J.-E. Jun, L. V. Rychkova, V. V. Dolgikh, L. V. Zurbanova, A. V. Zurbanov, A. Aleksanyan, A. Matevosyan, G. Podosyan, P. Zelveian, H. O. Choi, G.-B. Nam, Y. R. Kim, K. H. Kim, K.-J. Choi, Y.-H. Kim, H. A. P. Pakpahan, D. Wei, T. Qizhu, Y. Xiaofei, G. Kai, F. Siting, H. Ji, A. Sato, Y. Tanabe, Y. Hayashi, T. Yoshida, E. Ito, M. Chinushi, K. Hasegawa, N. Yagihara, K. Iijima, D. Izumi, H. Watanabe, H. Furushima, Y. Aizawa, Y.-x. Dong, J. C. Burnett, H. H. Chen, S. Sandberg, Y. Zhang, P.-S. Chen, Y.-M. Cha, X.-h. Zhou, B.-p. Tang, J.-x. Li, Y.-d. Li, J.-h. Zhang, P. Arsenos, K. Gatzoulis, T. Gialernios, P. Dilaveris, S. Sideris, S. Archontakis, D. Tsiachris, S. Christodoulos, Z. Feng, S. Baogui, L. Li, L. Ming, P. Mohanty, A. B. Hesselson, E. De Ruvo, P. L. Gallagher, M. Minati, L. C. A. Natale, G. F. Tomassoni, T. Gan, B. Tang, G. Xu, J. Hosoda, T. Ishikawa, K. Matsushita, K. Matsumoto, Y. Kimura, M. Miyamoto, T. Sugano, T. Ishigami, K. Uchino, K. Kimura, S. Umemura, T. Kurita, L. Ruan, C. Zhang, S. Cai, N. Liu, Y. Ruan, X. Quan, J. K. Kang, N. Y. Kim, S. H. Park, J. E. Jun, W. H. Park, O. V. Sapelnikov, R. S. Latypov, I. R. Grishin, Y. V. Mareev, M. A. Saidova, R. S. Akchurin, G. Manis, D. Mytas, T. Papafanis, M. V. Papavasileiou, C. Stefanadis, L.-N. Ren, X.-H. Fang, Y.-q. Wang, G.-X. Qi, Q.-x. Zeng, Z.-t. Zheng, J.-q. Zhong, Y.-l. Wang, H.-z. Liu, D.-l. Liu, X.-l. Meng, J.-s. Li, G.-y. Su, J. Wang, W. B. Nicolson, S. Kundu, N. Tyagi, P. D. S. Meatcher, S. Yusuf, M. Jeilan, P. J. Stafford, A. J. Sandilands, I. Loke, G. A. Ng, Y. Solak, E. E. Gul, H. Atalay, T. Abdulhalikov, M. Kayrak, S. Turk, A. V. Pogodina, O. V. Valjavskaja, Y. X. Chen, N. S. Luo, J. F. Wang, S. Zhang, S. Ishimaru, M. Miyakawa, R. Kakinoki, M. Tadokoro, S. Kitani, T. Sugaya, K. Nishimura, T. Igarashi, H. Okabayashi, J. Furuya, Y. Igarashi, K. Igarashi, T. Su, D. Winlaw, R. Chard, I. Nicholson, G. Sholler, K. Lau, Q. Sun, K.-p. Cheng, R. Cheng, W. Hua, J.-l. Pu, C. P. Lim, L. L. Chan, L. W. Teo, B. W. K. Kwok, D. K. L. Sim, D. Moneghini, R. Cestari, H. Al Shurafa, S. Al Ghamdi, A. Al Khadra, A. Agacdiken, I. Yalug, A. Vural, U. Celikyurt, D. Ural, T. Aker, E. Schloss, A. Auricchio, C. Zeng, L. Sterns, F. Farooqi, R. Kamdar, S. Adhya, S. Bayne, T. Jackson, L. Pollock, N. Gall, F. Murgatroyd, Y. Guo, Y. Wang, T. Yang, P. Zhu, H. Liu, Y. Zhao, L. Zhang, W. Gao, M. Gao

Publikováno v: Europace. 13:i47-i82

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::fbe7eb0d3d8ccbba20710246f8b1864d
https://doi.org/10.1093/europace/euq492

Synthesis of germanium nanodots on silicon using an anodic alumina membrane mask

Autor: Wai Kin Chim, H. G. Chew, Z Chen, Wee Kiong Choi, Yong Lei, L. W. Teo

Publikováno v: Journal of Crystal Growth. 268:560-563

We explore here the use of an anodic alumina membrane as a mask for the fabrication of highly ordered nanodots. The masks were synthesized using a two-step anodization process of aluminum foils in acid solutions. Masks that contain highly ordered por

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::24dc5713f880b2c23bc0072665c465e6
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2004.04.091

Electrical characterization of a trilayer germanium nanocrystal memory device

Autor: C. H. Moey, V. Ho, L. W. Teo, Yong Lei, C. L. Heng, Wai Kin Chim, W. K. Choi, M. S. Tay

Publikováno v: Microelectronic Engineering. 66:33-38

In this paper, we report the effects of the thickness of the middle layer and the rapid thermal oxide (RTO) layer on the charge storage capability of the trilayer devices. The capacitance versus voltage (C-V) measurements showed that devices with a t

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a4b7a84de28b6c233988b9639969d208
https://doi.org/10.1016/s0167-9317(03)00021-2

Effect of germanium concentration and tunnel oxide thickness on nanocrystal formation and charge storage/retention characteristics of a trilayer memory structure

Autor: Wee Kiong Choi, D.A. Antoniadis, A. Y. Du, V. Ho, M. S. Tay, Eugene A. Fitzgerald, Rong Liu, Wai Kin Chim, Andrew T. S. Wee, L. W. Teo, C. H. Tung

Publikováno v: Applied Physics Letters. 83:3558-3560

The effect of germanium concentration and the rapid thermal oxide (RTO) layer thickness on the nanocrystal formation and charge storage/retention capability of a trilayer metal–insulator–semiconductor device was studied. We found that the RTO and

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::10da2de01e16f37be803cb1eb814d99c
https://doi.org/10.1063/1.1615840

Observation of memory effect in germanium nanocrystals embedded in an amorphous silicon oxide matrix of a metal–insulator– semiconductor structure

Autor: Dimitri A. Antoniadis, Wai Kin Chim, Wee Kiong Choi, Vivian Ng, L. W. Teo, V. Ho, Eugene A. Fitzgerald, C. L. Heng

Publikováno v: Applied Physics Letters. 80:2014-2016

The memory effect of a trilayer structure (rapid thermal oxide/Ge nanocrystals in SiO2/sputtered SiO2) was investigated via capacitance versus voltage (C–V) measurements. The Ge nanocrystals were synthesized by rapid thermal annealing of the cosput

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3145fc7fbb4cce754a8d2c5ff7ab46f7
https://doi.org/10.1063/1.1459760