Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"L. Vishnubotla"'
Autor:
Nathalie Revil, N. Emonet, P. Llinares, R. Difrenza, M. Denais, Roland Pantel, M. Woo, Vincent Huard, Kathy Barla, J. C. Vildeuil, H. Brut, C. Parthasarthy, M. Bidaud, P. Stolk, Franck Arnaud, David Roy, F. Guyader, K. Rochereau, L. Vishnubotla, D. Barge, Nicolas Planes, Sylvie Bruyere, B. Tavel
Publikováno v:
IEEE International Electron Devices Meeting 2003.
This work shows the benefits of using plasma nitrided gate oxide which supports the gate leakage requirements for 65 nm platform development. Electrical data shows gate leakage to be reduced by half a decade compared to conventional NO processing wit
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.