Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"L. Truphemus"'
Autor:
L. Truphemus, Pascal Masson, Pascal Fornara, François H. Julien, J-M. Portal, Y. Bert, Y. Joly, Hassen Aziza, J.-L. Ogier, L. Lopez
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 60:1263-1267
On CMOS technology, some process steps can create a parasitic phenomenon named “hump effect.” This parasitic effect can have a strong impact on gate voltage matching of differential pairs and, as a consequence, on analog circuit performances. In
Publikováno v:
ISCAS
Analog circuit designs are often biased to work in sub-threshold mode for low power constraints and for better gate-source voltage matching performances. Depending on process, hump effect may change MOS characteristics for negative Bulk-Source Voltag
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.