Zobrazeno 1 - 10
of 50
pro vyhledávání: '"L. Tirado-Mejía"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
M.A. Mondragón, L. Tirado-Mejía, Mario E. Rodríguez-García, Angelica M. Castillo-Paz, Sandra M. Londoño-Restrepo
Publikováno v:
Progress in Natural Science: Materials International, Vol 30, Iss 4, Pp 494-501 (2020)
This work focuses on the changes of raw hydroxyapatite obtained from porcine bones during heat treatment with heating rates of 2.5 and 5.0 °C/min between 600 °C and 1100 °C. High-Resolution transmission electron microscopy (HR-TEM) images showed t
Autor:
Orlando Auciello, L. Tirado-Mejía, Andrés Medina-Herrera, Mario E. Rodríguez-García, C.F. Ramirez-Gutierrez, Luis F. Zubieta-Otero
Publikováno v:
Journal of Luminescence. 201:11-17
The research discussed in this paper focused on a systematic methodology to elucidate the controversy about transitions responsible for the photoluminescence (PL) spectrum from porous silicon (PSi) layers etched on a p-type Si wafer, to understand th
Publikováno v:
Materials Letters. 268:127562
ZnTe and Ga-doped ZnTe thin films were prepared onto glass and Te-doped GaSb substrates by thermal evaporation method under vacuum and their structural and optical properties were studied. XRD results show that for both substrates, the doping with ga
Publikováno v:
Ingeniería y Desarrollo. 33:281-300
En este trabajo se exponen los resultados del proceso de obtencion depolvos ceramicos nanometricos del sistema SrxBa1-xNb2O6 (SBN), para x= 0.50 y 0.61, que se encuentra dentro del rango para el cual el sistematiene estructura tetragonal tungsteno br
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
DYNA. 81:184-192
Material engineering finds an important support on simulation methods. The study of semiconductors growth techniques through simulation allows the determination of the influence of some growth parameters on the film properties. Experimentally, the va
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Revista de Investigaciones Universidad del Quindío, Vol 23, Iss 1 (2012)
En este trabajo se presenta la obtención de una configuración de circuito electrónico basado en GaSb, para una aplicación de filtro sintonizado alrededor de 20 MHz. Se implementó y automatizó la técnica de espectros-copia de amplitud y fase pa
Autor:
D.G. Espinosa-Arbeláez, J. A. Villada, H. Ariza-Calderón, Gerardo Fonthal, Mario E. Rodríguez-García, J.A. Peñafiel, L. Tirado-Mejía, M. de los Ríos
Publikováno v:
Physica B: Condensed Matter. 403:4027-4032
Optical and structural properties of GaSb and Te-doped GaSb single crystals are reported herein. Utilizing the photoreflectance technique, the band gap energy for doped samples was obtained at 0.814 eV. Photoluminescence (PL) spectra showed a peak at