Zobrazeno 1 - 10
of 174
pro vyhledávání: '"L. Stolt"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
2017 IEEE 44th Photovoltaic Specialist Conference (PVSC).
Light-induced instabilities/degradation in Cu(In, Ga)Se 2 (CIGS) solar cells are a prevalent and urgent issue to resolve to improve performance, uniformity, and reliability. Here, mechanisms contributing to light-induced instabilities are identified
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
F. Abou-Elfotouh, T. Walter, T. W.F. Russell, T. C. Lommasson, Angus Rockett, M. Bode, R. D. Tomlinson, Reiner Klenk, J. Ermer, John R. Tuttle, L. Stolt, T. M. Peterson, D. Albin
Publikováno v:
Thin Solid Films. 237:1-11
The results of a workshop on the structure and chemistry of CuInSe2 (CIS), held in Jackson Hole, WY (USA), are presented. The participants are the authors of this paper. Issues in CIS properties and device performance were divided into those dominati