Zobrazeno 1 - 10
of 64
pro vyhledávání: '"L. Rezaee"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Jan L. Shifrin, James A. Simon, Kathryn E. Flynn, Joana Carvalho, Stanley E. Althof, Johannes Bitzer, Jennifer Barsky Reese, Leslie R. Schover, Andrea Bradford, Rossella E. Nappi, Sheryl A. Kingsberg, Roya L. Rezaee
Publikováno v:
The Journal of Sexual Medicine. 14:1463-1491
Introduction Since the millennium we have witnessed significant strides in the science and treatment of female sexual dysfunction (FSD). This forward progress has included (i) the development of new theoretical models to describe healthy and dysfunct
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Sheryl A. Kingsberg, Roya L. Rezaee
Publikováno v:
Menopause. 20:1284-1300
This review aims to describe low sexual desire (1) as a construct within theoretical models of female sexual response, (2) as a sexual disorder with evolving or competing nosology between the DSM-IV-TR and the DSM 5, and (3) as a clinical condition t
Publikováno v:
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. 58:1952-1966
In this paper, a global and geometry-independent approach is proposed for accurate analysis of edge-coupled continuous wave (CW) traveling-wave terahertz photomixer sources. All major physical phenomena involved in the operation of such devices are i
Publikováno v:
Thin Solid Films. 427:330-334
Crystallization of a-Ge was performed on flexible plastic substrates at temperatures as low as 130 °C. Copper has been primarily used as the seed of crystallization, while an external stress was applied onto the flexible substrate to enhance the cry
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 47:361-366
Polysilicon films are grown on ordinary glass substrates at temperatures as low as 380/spl deg/C using a novel ultra-violet assisted metal-induced-crystallization technique. The silicon films grown using this method are suitable for the fabrication o
Publikováno v:
Journal of Non-Crystalline Solids. 303:232-236
A UV-assisted metal-induced crystallization technique is reported to grow poly-Si films on glass at temperatures around 400 °C. Samples prepared consist of 150 nm of silicon film deposited on 100 nm silicon nitride and 200 nm of chromium layers, and