Zobrazeno 1 - 10
of 12
pro vyhledávání: '"L. Neiberg"'
Autor:
K. Fischer, Pulkit Jain, Sell Bernhard, P. Plekhanov, Swaminathan Sivakumar, S. Rajamani, R. James, Mark Y. Liu, C. Kenyon, L. Neiberg, Pete Smith, J. Wiedemer, M. Haran, M. Prince, Kevin Zhang, A. Bowonder, S. Morarka, R. Mehandru, B. Song, M. Agostinelli, Q. Fu, Y. Luo, W. Han, M. Heckscher, R. Grover, R. Patel, V. Chikarmane, S. Akbar, S. Chouksey, P. Patel, D. Hanken, I. Jin, L. Pipes, C. Parker, J. Sandford, M. Giles, Paul A. Packan, Tahir Ghani, A. Paliwal, E. Haralson, M. Bost, K. Tone, Sanjay Natarajan, M. Yang, Eric Karl, Hei Kam, R. Jhaveri, R. Heussner, T. Troeger, A. Dasgupta, S. Govindaraju, C. Pelto
Publikováno v:
2014 IEEE International Electron Devices Meeting.
A 14nm logic technology using 2nd-generation FinFET transistors with a novel subfin doping technique, self-aligned double patterning (SADP) for critical patterning layers, and air-gapped interconnects at performance-critical layers is described. The
Autor:
Gerald Stranzinger, P. Steffen, Ruedi Fries, James E. Womack, D. J. S. Hetzel, S. Solinas Toldo, William Barendse, H. L. Neiberg
Publikováno v:
Mammalian Genome. 4:720-727
To identify physical and genetic anchor loci on bovine chromosomes, 13 cosmids, obtained after the screening of partial bovine cosmid libraries with the (CA)n microsatellite motif, were mapped by fluorescence in situ hybridization (FISH). Eleven cosm
Autor:
J. Seiple, L. Neiberg, R. Heussner, W. Han, S. Lodha, Abhishek Sharma, T. Troeger, Paul A. Packan, Oleg Golonzka, Swaminathan Sivakumar, B. Mattis, Mark Armstrong, Daniel B. Bergstrom, Tahir Ghani, Kevin Zhang, K. Dev, Anand Portland Murthy, J. Neirynck, Jun He, C. Kenyon, Cory E. Weber, G. Ding, L. Pipes, H. Deshpande, S. Pae, Y. Luo, J. Jopling, A. St. Amour, Robert James, Mark Y. Liu, J. Sebastian, Sanjay Natarajan, B. Song, Sell Bernhard, S. Akbar, Mark R. Brazier, C. Parker, S-H. Lee, K. Tone
Publikováno v:
2009 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM).
A 32nm logic technology for high performance microprocessors is described. 2nd generation high-k + metal gate transistors provide record drive currents at the tightest gate pitch reported for any 32nm or 28nm logic technology. NMOS drive currents are
Autor:
S. Lodha, J. Seiple, T. Troeger, S. Pae, G. Ding, Tahir Ghani, I. Jin, L. Pipes, C.-H. Chang, Ruth A. Brain, Cory E. Weber, Jun He, Kevin Zhang, Paul A. Packan, Robert James, R. Heussner, Seung Hwan Lee, S. Klopcic, W. Han, Anand Portland Murthy, Michael A. Childs, K. Dev, J. Neirynck, Mark Y. Liu, J. Sebastian, B. McFadden, Oleg Golonzka, Swaminathan Sivakumar, V. Chikarmane, C. Pelto, H. Deshpande, Sanjay Natarajan, Mark Armstrong, M. Yang, L. Neiberg, Mark R. Brazier, B. Song, Yeoh Andrew W, C. Parker, C. Kenyon, M. Bost, K. Tone, Sell Bernhard
Publikováno v:
2008 IEEE International Electron Devices Meeting.
A 32 nm generation logic technology is described incorporating 2nd-generation high-k + metal-gate technology, 193 nm immersion lithography for critical patterning layers, and enhanced channel strain techniques. The transistors feature 9 Aring EOT hig
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.