Zobrazeno 1 - 5
of 5
pro vyhledávání: '"L. MtPleasant"'
Autor:
W. Kong, Robert J. Lender, A.W. Swanson, R. Actis, K. Nichols, P.M. Smith, D. Dugas, J. Fisher, L. MtPleasant, D. Pritchards, David E. Meharry
Publikováno v:
GaAs IC Symposium. IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium. 23rd Annual Technical Digest 2001 (Cat. No.01CH37191).
This paper reviews the remarkable progress being made in the development of InP HEMT devices and circuits for high frequency analog applications. Despite possessing superior performance, widespread use of InP HEMTs has to date been hindered by their
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::169d2658ae9802d7cad025bacc2ae635
https://doi.org/10.1109/gaas.2001.964334
https://doi.org/10.1109/gaas.2001.964334
Autor:
O.S.A. Tang, K. Nichols, M. Lang, P.M. Smith, R. Melcher, Bernard J. Schmanski, K.H.G. Duh, K. C. Hwang, W. Taft, L. MtPleasant, S. Valenti, P.C. Chao
Publikováno v:
GaAs IC Symposium. IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuits Symposium. 22nd Annual Technical Digest 2000. (Cat. No.00CH37084).
An ultra-wideband ultra-flat ultra-low DC power consumption low noise amplifier MMIC using metamorphic InAlAs/InGaAs HEMT technology has been developed. The amplifier demonstrated a record 2.7 octave bandwidth of 1.7 to 11 GHz, with a record /spl plu
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1df86febd40a6206c6e13ccbe5630928
https://doi.org/10.1109/gaas.2000.906311
https://doi.org/10.1109/gaas.2000.906311
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.